h1_key

  基礎(chǔ)半導體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家 Nexperia(安世半導體)近日宣布擴展其適用于熱插拔和軟啟動的 ASFET 產(chǎn)品組合，推出 10 款全面優(yōu)化的 25V 和 30V 器件。新款器件將業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的安全工作區(qū)(SOA)性能與超低的 RDS(on)相結(jié)合，非常適合用于 12V 熱插拔應(yīng)用，包括數(shù)據(jù)中心服務(wù)器和通信設(shè)備。

  多年來，Nexperia(安世半導體)致力于將成熟的 MOSFET 專業(yè)知識和廣泛的應(yīng)用經(jīng)驗結(jié)合起來，增強器件中關(guān)鍵 MOSFET 的性能，滿足特定應(yīng)用的要求，以打造市場領(lǐng)先的 ASFET。自 ASFET 推出以來，針對電池隔離(BMS)、直流電機控制、以太網(wǎng)供電(POE)和汽車安全氣囊等應(yīng)用的產(chǎn)品優(yōu)化升級不斷取得成功。

  浪涌電流給熱插拔應(yīng)用帶來了可靠性挑戰(zhàn)。為了應(yīng)對這一挑戰(zhàn)，增強型 SOA MOSFET 領(lǐng)域的前沿企業(yè) Nexperia(安世半導體)專門針對此類應(yīng)用進行了全面升級，設(shè)計了適用于熱插拔和軟啟動的 ASFET 產(chǎn)品組合，并增強了 SOA 性能。與之前的技術(shù)相比，PSMNR67-30YLE ASFET的 SOA(12V @100mS)性能提高到了 2.2 倍，同時 RDS(on)(最大值)低至 0.7mΩ。與未優(yōu)化器件相比，新款器件不僅消除了 Spirito 效應(yīng)(表示為 SOA 曲線的更高壓區(qū)域中更為陡峭的斜向下曲線)，還同時保持了整個電壓和溫度范圍內(nèi)的出色性能。

  Nexperia(安世半導體)通過在 125℃ 下對新款器件進行完全表征，并提供高溫下的 SOA 數(shù)據(jù)曲線，消除了熱降額設(shè)計的必要性，從而為設(shè)計人員提供進一步支持。

  8 款新產(chǎn)品(3款25V和5款30V)現(xiàn)已可選擇 LFPAK56 或 LFPAK56E 封裝，其中 RDS(on)范圍為 0.7m? 到 2m?，可適用于大多數(shù)熱插拔和軟啟動應(yīng)用。其他 2 款 25V 產(chǎn)品的 RDS(on)更低，僅為 0.5m?，預計將于未來幾個月內(nèi)發(fā)布。