h1_key

當(dāng)前位置:首頁(yè) >新聞資訊 > 產(chǎn)品資訊>致遠(yuǎn)MR6450系列RISC-V核心板高速數(shù)據(jù)處理
致遠(yuǎn)MR6450系列RISC-V核心板高速數(shù)據(jù)處理
2022-12-06 1010次

  隨著AIoT時(shí)代的到來(lái),RISC-V作為新興架構(gòu),其精簡(jiǎn)及開源的特性在物聯(lián)網(wǎng)的應(yīng)用領(lǐng)域有很大的優(yōu)勢(shì),為此ZLG致遠(yuǎn)電子推出MR6450系列RISC-V核心板,本文詳細(xì)為大家介紹其具體參數(shù)與典型應(yīng)用。

  MR6450系列核心板基于先楫半導(dǎo)體的HPM6450IVM1開發(fā),主頻高,支持高速數(shù)據(jù)處理能力,具有豐富的通信接口,適合于工業(yè)控制、儀器儀表、電機(jī)控制等應(yīng)用場(chǎng)合。

  MR6450核心板性能如何?

  MR6450系列核心板基于先楫半導(dǎo)體的HPM6450IVM1開發(fā),主頻高,支持高速數(shù)據(jù)處理能力,具有豐富的通信接口,適合于工業(yè)控制、儀器儀表、電機(jī)控制等應(yīng)用場(chǎng)合。


  核心特點(diǎn):

  · 單核32位 RISC-V 處理器,816MHz主頻,高于9000 CoreMark?和4500以上的DMIPS性能,支持雙精度浮點(diǎn)運(yùn)算、DSP擴(kuò)展及硬件圖形加速,內(nèi)置大容量片上SRAM 2MB;

  · 板載8MB/32MB SDRAM,8MB QSPI Flash;

  · 支持2.4GHz WiFi 及Bluetooth 4.2;

  · 雙千兆以太網(wǎng),iperf測(cè)試帶寬大于900Mbps,也可配置成百兆模式;

  · 支持IEEE 1588 PTP規(guī)范,時(shí)間同步精度可達(dá)17ns;

  · 四路CANFD接口,最高速率可達(dá)8Mbps;

  · 多種通信接口:15路UART,4路SPI,4路I2C;

  · 雙路高速USB2.0,內(nèi)置PHY;

  · 4個(gè)PWM定時(shí)器,調(diào)制精度可達(dá)2.5ns,3個(gè)12位ADC,1個(gè)16位ADC。

  RISC-V架構(gòu)有什么優(yōu)勢(shì)?

  在介紹RISC-V架構(gòu)優(yōu)勢(shì)之前,簡(jiǎn)單了解下RISC-V架構(gòu):

  RISC-V,一般被念做:risk five。V,即羅馬數(shù)字5。該指令集是RISC系列指令集的第五代產(chǎn)品,誕生于2010年;

  RISC-V是一種基于“精簡(jiǎn)指令集(RISC)”原則的開源指令集架構(gòu),它不是一款CPU芯片,甚至不是一個(gè)完整的指令集,它是指令集規(guī)范和標(biāo)準(zhǔn)。

  RISC-V最大的特性在于精簡(jiǎn)及開源,可以避免專利和授權(quán)的問(wèn)題,為一些像物聯(lián)網(wǎng)對(duì)成本敏感的領(lǐng)域提供了新的選擇。與上個(gè)世紀(jì)開始設(shè)計(jì)的x86和ARM指令集相比,在設(shè)計(jì)時(shí)融入了現(xiàn)代設(shè)計(jì)理念,使其架構(gòu)本身也具有一定的優(yōu)勢(shì):

  · 更低成本、更靈活地針對(duì)不同應(yīng)用領(lǐng)域進(jìn)行處理器的定制和優(yōu)化;

  · 提升編程效率。受益于精簡(jiǎn)的架構(gòu)及模塊化的特性,RISC-V架構(gòu)的指令數(shù)目非常的簡(jiǎn)潔?;镜腞ISC-V指令數(shù)目?jī)H有40多條,加上其他的模塊化擴(kuò)展指令也總共只有幾十條指令。


  芯片介紹

  HPM6450IVM1是先楫半導(dǎo)體的高性能實(shí)時(shí)RISC-V微控制器,為工業(yè)自動(dòng)化及邊緣計(jì)算應(yīng)用提供了極大的算力、高效的控制能力及豐富的多媒體功能。以下為HPM6450IVM1芯片功能框圖:


致遠(yuǎn)MR6450系列RISC-V核心板高速數(shù)據(jù)處理
  應(yīng)用案例—工業(yè)網(wǎng)關(guān)

  工業(yè)網(wǎng)關(guān)作為數(shù)據(jù)采集及數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)發(fā)的重要設(shè)備,它是實(shí)現(xiàn)工業(yè)互聯(lián)的基礎(chǔ)設(shè)備。實(shí)現(xiàn)工業(yè)網(wǎng)關(guān)至少應(yīng)滿足以下三大關(guān)鍵指標(biāo):

  1. 數(shù)據(jù)采集能力

  有更多的通信接口、更高的傳輸精度和采集速率。

  2. 可靠傳輸能力

  · 有較寬的工作溫度范圍及強(qiáng)抗電磁干擾能力;

  · 有多種通信方式,支持有線和無(wú)線互為備份,支持多中心通信,更加安全可靠。

  3. 邊緣計(jì)算能力


  現(xiàn)場(chǎng)采集的實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)需在網(wǎng)關(guān)內(nèi)部進(jìn)行本地存儲(chǔ)、處理及分析后上傳到后臺(tái)服務(wù)器,減少單個(gè)傳感器和后臺(tái)服務(wù)器的計(jì)算負(fù)擔(dān)。

而基于工業(yè)網(wǎng)關(guān)的應(yīng)用,MR6450系列核心板能提供很匹配的解決方案。下面是基于MR6450核心板的一款協(xié)議轉(zhuǎn)換網(wǎng)關(guān)的系統(tǒng)架構(gòu),該方案有一路隔離RS485、一路隔離CANFD及一路標(biāo)準(zhǔn)百兆以太網(wǎng),具有靈活的配置功能,可輕松實(shí)現(xiàn)Modbus協(xié)議數(shù)據(jù)至CANFD數(shù)據(jù)間的無(wú)縫轉(zhuǎn)換。



致遠(yuǎn)MR6450系列RISC-V核心板高速數(shù)據(jù)處理





  采用MR6450核心板的優(yōu)勢(shì):

  UART、CAN、ADC、PWM等接口數(shù)量較多,其中ADC最高支持16位高精度 ADC 2MSPS,PWM調(diào)制精度可達(dá)2.5ns;2. 工作溫度范圍為-40~85℃,且已通過(guò)EMC測(cè)試。支持千兆以太網(wǎng)及WiFi/Bluetooth通信方式,支持IEEE 1588,時(shí)間同步精度可達(dá)17ns;3. 支持雙精度浮點(diǎn)運(yùn)算及強(qiáng)大的DSP擴(kuò)展,主頻高達(dá)816MHz,創(chuàng)下了高達(dá)9220 CoreMark? 和高達(dá)4651 DMIPS的MCU性能新記錄。

  • MDD辰達(dá)半導(dǎo)體推出低內(nèi)阻、強(qiáng)抗浪涌MOSFET,電池管理系統(tǒng)BMS中的關(guān)鍵元器件
  • 在儲(chǔ)能BMS中,充放電控制和主動(dòng)均衡是兩大關(guān)鍵電路,都離不開高性能的MOSFET。MDD辰達(dá)半導(dǎo)體推出的MDDG03R04Q與MDDG04R06Q兩款N溝道MOSFET, 采用先進(jìn)的 SGT工藝,輕松應(yīng)對(duì)BMS中的會(huì)遇到的挑戰(zhàn)。
    2025-12-10 76次
  • 芯伯樂(lè)24C02/24C04/24Cxx:百萬(wàn)次擦寫非易失性存儲(chǔ)器的解決方案
  • 在嵌入式系統(tǒng)與智能設(shè)備中,小容量、可重復(fù)擦寫的非易失性存儲(chǔ)器始終扮演著關(guān)鍵角色。芯伯樂(lè)24Cxx系列串行EEPROM憑借其標(biāo)準(zhǔn)化的接口、穩(wěn)定的性能與極低的功耗,成為存儲(chǔ)配置參數(shù)、用戶設(shè)置、運(yùn)行日志等的首選方案。無(wú)論是消費(fèi)電子、工業(yè)控制還是物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備,都能見(jiàn)到它的身影。
    2025-12-10 57次
  • 芯伯樂(lè)低噪聲軌到軌運(yùn)放芯片XAD8605/8606/8608系列,11MHz帶寬高精度信號(hào)調(diào)理
  • 在工業(yè)控制、汽車電子和便攜式設(shè)備等領(lǐng)域,對(duì)運(yùn)算放大器的性能要求越來(lái)越高,尤其是在帶寬、噪聲、功耗和輸入輸出范圍等方面的平衡。芯伯樂(lè)的XAD8605/XAD8606/XAD8608系列運(yùn)算放大器,以其11MHz帶寬、低噪聲、軌到軌輸入輸出和微安級(jí)功耗,為高精度信號(hào)處理提供了可靠的解決方案。
    2025-12-10 909次
  • VBGED1401——LFPAK56封裝,40V/0.8mΩ超低阻SGT MOSFET,刷新了中壓MOSFET的性能極限
  • VBGED1401——LFPAK56封裝,40V/0.8mΩ超低阻SGT MOSFET,刷新了中壓MOSFET的性能極限
    2025-12-09 73次
  • 全球第三國(guó)內(nèi)首款頂部散熱TOLT封裝功率MOSFET-VBGQTA1101
  • 近日,國(guó)內(nèi)功率半導(dǎo)體領(lǐng)域迎來(lái)突破性進(jìn)展——微碧半導(dǎo)體(VBsemi)正式推出新品VBGQTA1101,采用創(chuàng)新TOLT-16封裝。這不僅是中國(guó)首款采用頂部散熱技術(shù)的功率MOSFET,更以"熱傳導(dǎo)與電流路徑解耦"的核心設(shè)計(jì),實(shí)現(xiàn)了功率密度與散熱效率的跨越式升級(jí),標(biāo)志著我國(guó)在高功率半導(dǎo)體封裝技術(shù)領(lǐng)域成功躋身國(guó)際先進(jìn)行列!
    2025-12-09 54次

    萬(wàn)聯(lián)芯微信公眾號(hào)

    元器件現(xiàn)貨+BOM配單+PCBA制造平臺(tái)
    關(guān)注公眾號(hào),優(yōu)惠活動(dòng)早知道!
    10s
    溫馨提示:
    訂單商品問(wèn)題請(qǐng)移至我的售后服務(wù)提交售后申請(qǐng),其他需投訴問(wèn)題可移至我的投訴提交,我們將在第一時(shí)間給您答復(fù)
    返回頂部