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  Vishay TrenchFET® Gen V MOSFET

  ●節(jié)省空間型器件所需 PCB 空間比 PowerPAIR 6x5F 封裝減少 63%

  ●有助于減少元器件數(shù)量并簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)

  威世科技推出兩款新型30 V對(duì)稱(chēng)雙通道n溝道功率MOSFET，將高邊和低邊 TrenchFET® Gen V MOSFET組合在3.3mm x 3.3 mmPowerPAIR® 3x3FS單體封裝中。Vishay Siliconix SiZF5300DT 和 SiZF5302DT 適用于計(jì)算和通信應(yīng)用功率轉(zhuǎn)換，在提高能效的同時(shí)，減少元器件數(shù)量并簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)。

  目前發(fā)布的雙通道 MOSFET 可用來(lái)取代兩個(gè) PowerPAK 1212 封裝分立器件，節(jié)省 50% 基板空間，同時(shí)占位面積比 PowerPAIR 6x5F 封裝雙片 MOSFET 減小 63%。MOSFET 為 USB-C 電源筆記本電腦、服務(wù)器、直流冷卻風(fēng)扇和通信設(shè)備同步降壓轉(zhuǎn)換器、負(fù)載點(diǎn)(POL)轉(zhuǎn)換電路和 DC/DC 模塊設(shè)計(jì)人員提供節(jié)省空間。這些應(yīng)用中，SiZF5302DT 高低邊 MOSFET 提供了 50% 占空比和出色能效的優(yōu)質(zhì)效果，特別是在 1 A 到 4 A 電流條件下。而 SiZF5300DT 則是 12 A 到 15 A 重載的理想解決方案。

  SiZF5300DT 和 SiZF5302DT 利用 Vishay 的 30 V Gen V 技術(shù)實(shí)現(xiàn)優(yōu)異導(dǎo)通電阻和柵極電荷。SiZF5300DT 10 V 和 4.5 V 下典型導(dǎo)通電阻分別為 2.02 mΩ 和 2.93 mΩ， SiZF5302DT 相同條件下導(dǎo)通電阻分別為 2.7 mΩ 和 4.4 mΩ。兩款 MOSFET 4.5 V 條件下典型柵極電荷分別為 9.5 nC 和 6.7 nC。超低導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積，即 MOSFET 功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用重要優(yōu)值系數(shù)(FOM)，比相似導(dǎo)通電阻的前代解決方案低 35 %。高頻開(kāi)關(guān)應(yīng)用效率提高 2%，100 W 能效達(dá)到 98%。

  與前代解決方案對(duì)比

  器件采用倒裝芯片技術(shù)增強(qiáng)散熱能力，獨(dú)特的引腳配置有助于簡(jiǎn)化 PCB 布局，支持縮短開(kāi)關(guān)回路，從而減小寄生電感。SiZF5300DT 和 SiZF5302DT 經(jīng)過(guò) 100% Rg 和 UIS 測(cè)試，符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，無(wú)鹵素。

  器件規(guī)格表