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  汽車(chē)市場(chǎng)正在經(jīng)歷一場(chǎng)變革，隨著電動(dòng)汽車(chē)(EV)采用率的迅速增加，銷(xiāo)售預(yù)測(cè)數(shù)據(jù)也在不斷上調(diào)。電動(dòng)汽車(chē)雖然只占整個(gè)市場(chǎng)的一小部分，但據(jù)預(yù)測(cè)，2025年售出的電動(dòng)汽車(chē)將達(dá)到1000萬(wàn)輛，到2050年，所有售出的汽車(chē)中超過(guò)50%是電動(dòng)汽車(chē)。

  xEV車(chē)輛的增長(zhǎng)和充電基礎(chǔ)設(shè)施的需求正在加速，在xEV應(yīng)用中，系統(tǒng)層面涉及主逆變器和發(fā)電機(jī)、升壓轉(zhuǎn)換器、DC-DC轉(zhuǎn)換器、車(chē)載充電器;器件封裝類(lèi)型包括分立式、電源模塊;功率器件種類(lèi)有硅MOSFET、硅IGBT、硅BJT(雙極晶體管)、碳化硅(SiC)MOSFET和氮化鎵(GaN)HEMT等。

  前不久在深圳特展的電動(dòng)交通論壇上，安森美(onsemi)電源方案部工程師Jerry Yuan先生分享了快速直流充電樁方案如何提升汽車(chē)的續(xù)航能力。

  安森美的智能電源產(chǎn)品和方案廣泛應(yīng)用于充電樁，當(dāng)中包括Elite SiC碳化硅方案、IGBT電源模塊以及門(mén)極驅(qū)動(dòng)器等。豐富的參考設(shè)計(jì)和支持工具能助工程師簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)，最大化能效以及減小尺寸。

  借助其出色的物理特性(高飽和電子漂移速度、高熱導(dǎo)率和高擊穿電場(chǎng))， SiC MOSFET器件可以實(shí)現(xiàn)更低的損耗和更快的開(kāi)關(guān)速度，并且其幾何尺寸比硅 (Si) MOSFET更小。

  安森美提供一系列SiC方案支持汽車(chē)功能電子化，使客戶能夠根據(jù)其系統(tǒng)要求靈活地選擇分立或模塊解決方案。產(chǎn)品包括多種SiC二極管、SiC MOSFET、SiC模塊以及硅和SiC混合模塊。