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  在額定電壓相同的情況下，SiC二極管占用的空間比Si更小

SiC的介電擊穿場強比硅基器件高出約10倍，且在給定的截止電壓下，SiC的漂移層比硅基器件更薄且摻雜濃度更高，因此SiC的電阻率更低，傳導性能也更好。這意味著，在額定電壓相同的情況下，SiC芯片比其等效的硅芯片更小。使用更小的芯片還有一個額外好處，就是在電流和額定電壓給定的情況下，其器件的固有電容和關聯(lián)電荷都更低。結(jié)合SiC的更高電子飽和速度，這可以實現(xiàn)比Si基器件更快的開關速度和更低的損耗。

  二極管具有更出色的散熱性能

SiC的熱導率幾乎是Si基器件的3.5倍，因此其每單位面積耗散的功率(熱量)也就更多。盡管封裝在持續(xù)運行期間會是一個限制因素，但SiC帶來較大的裕量優(yōu)勢，有助于設計實現(xiàn)易受瞬態(tài)熱事件影響的應用。此外，耐高溫性能意味著SiC二極管具有更高的耐用性和可靠性，且不會出現(xiàn)熱失控危險。

  單極性SiC二極管并沒有會造成減速和降低效率的存儲電荷

SiC二極管是單極性肖特基金屬半導體器件，其中只有多數(shù)載流子(電子)才能傳輸電流。這意味著，當二極管正向偏壓時，結(jié)耗盡層幾乎不會存儲任何電荷。相比之下，P-N結(jié)硅二極管是雙極性二極管，且會存儲在反向偏壓期間必須去除的電荷。這會導致反向電流尖峰，因此二極管(以及任何關聯(lián)的開關晶體管和緩沖器)的功率損耗更高，同時功率損耗隨著開關頻率的增加而增大。SiC二極管在反向偏壓下會由于其固有電容放電而產(chǎn)生反向電流尖峰，但其峰值仍比P-N結(jié)二極管低一個數(shù)量級，這意味著二極管和相應開關晶體管的功耗都更低。

  二極管的正向壓降和反向漏電流都與Si相匹配

SiC二極管的最大正向壓降可與超快Si二極管相媲美，并且仍在不斷改進(在更高的額定截止電壓下，兩者存在細微差異)。盡管是肖特基類型的二極管，但在反向偏壓下，高壓SiC二極管的反向漏電流和由此產(chǎn)生的功耗相對較低，類似于同等電壓和電流級別的超快Si二極管。由于SiC二極管不存在反向電荷恢復效應，所以SiC二極管和超快Si二極管之間由正向壓降和反向漏電流變化引起的任何微小功耗差異都比降低SiC動態(tài)損耗所抵消的功耗更大

  二極管恢復電流在其工作溫度范圍內(nèi)比較穩(wěn)定，從而可以降低功耗

硅二極管的恢復電流和恢復時間隨溫度變化而存在巨大差異，從而加大了電路優(yōu)化的難度，但SiC二極管卻不存在這種變化。在一些電路中，如“硬開關”功率因素校正級，充當升壓整流器的硅二極管可以控制從高電流下的正向偏壓到典型單相AC輸入的反向偏壓(通常約為400V D母線電壓)產(chǎn)生的損耗。SiC二極管的特性可顯著提升此類應用的效率，并可簡化硬件設計人員的設計考慮因素。

  二極管可并聯(lián)連接，且不會出現(xiàn)熱失控危險

SiC二極管與Si二極管相比還有一個優(yōu)勢，它們可以并聯(lián)連接，因為其正向壓降具有正溫度系數(shù)(在I-V曲線的應用相關區(qū)域),這有助于糾正所有電流不均流。相比之下，當器件并聯(lián)連接時，SiP-N二極管的負溫度系數(shù)可能會導致熱失控，需要使用明顯降額或附加的有源電路，以迫使器件實現(xiàn)均流。

  二極管的電磁兼容性(EMI)優(yōu)于Si

SiC二極管軟開關特性還帶來另一個優(yōu)勢，它可以顯著降低EMI。將Si二極管用作開關整流器時，反向恢復電流的潛在快速尖峰(及其寬頻譜)可能導致傳導和輻射發(fā)射。這些發(fā)射會產(chǎn)生系統(tǒng)干擾(通過各種耦合路徑),從而可能超過系統(tǒng)EMI限值。在這些頻率下，由于存在這種雜散耦合，濾波可能會比較復雜。此外，設計用于衰減開關基頻和低諧波頻率(通常低于1MHz)的EMI濾波器通常都具備比較高的固有電容，從而會降低其在更高頻率下的濾波效果。緩沖器可在快速恢復Si二極管中用于限制邊沿速率以及抑制振蕩，從而減少對其他器件產(chǎn)生的應力，降低EMI。但是，緩沖器會耗散大量能量，從而降低系統(tǒng)效率。

  二極管的正向恢復功率損耗低于Si

  在Si二極管中，正向恢復這種功率損耗來源往往會被忽視。從關斷狀態(tài)向?qū)顟B(tài)轉(zhuǎn)換期間，二極管壓降會暫時增大，從而產(chǎn)生過沖、振鈴以及與P-N結(jié)初始傳導性較低相關的額外損耗。然而，SiC二極管卻不存在這種效應，因此無需擔心正向恢復損耗。