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  • 散熱設計不良會導致 MOSFET 過熱失效?MDD辰達半導體一文講透
  • 在電源、BMS、車載電子、電機驅(qū)動等應用中,MDD辰達半導體的 MOSFET 常年工作在大電流、高頻、高環(huán)境溫度條件下。很多現(xiàn)場失效案例中,MOSFET 本身參數(shù)選型并不低,但仍然頻繁燒毀,最終溯源發(fā)現(xiàn),根本原因并非器件質(zhì)量,而是散熱設計不良。
    2026-02-04 297次
  • MDD辰達半導體推出低內(nèi)阻、強抗浪涌MOSFET,電池管理系統(tǒng)BMS中的關(guān)鍵元器件
  • 在儲能BMS中,充放電控制和主動均衡是兩大關(guān)鍵電路,都離不開高性能的MOSFET。MDD辰達半導體推出的MDDG03R04Q與MDDG04R06Q兩款N溝道MOSFET, 采用先進的 SGT工藝,輕松應對BMS中的會遇到的挑戰(zhàn)。
    2025-12-10 821次
  • 芯伯樂24C02/24C04/24Cxx:百萬次擦寫非易失性存儲器的解決方案
  • 在嵌入式系統(tǒng)與智能設備中,小容量、可重復擦寫的非易失性存儲器始終扮演著關(guān)鍵角色。芯伯樂24Cxx系列串行EEPROM憑借其標準化的接口、穩(wěn)定的性能與極低的功耗,成為存儲配置參數(shù)、用戶設置、運行日志等的首選方案。無論是消費電子、工業(yè)控制還是物聯(lián)網(wǎng)設備,都能見到它的身影。
    2025-12-10 860次
  • 芯伯樂低噪聲軌到軌運放芯片XAD8605/8606/8608系列,11MHz帶寬高精度信號調(diào)理
  • 在工業(yè)控制、汽車電子和便攜式設備等領(lǐng)域,對運算放大器的性能要求越來越高,尤其是在帶寬、噪聲、功耗和輸入輸出范圍等方面的平衡。芯伯樂的XAD8605/XAD8606/XAD8608系列運算放大器,以其11MHz帶寬、低噪聲、軌到軌輸入輸出和微安級功耗,為高精度信號處理提供了可靠的解決方案。
    2025-12-10 1024次
  • VBGED1401——LFPAK56封裝,40V/0.8mΩ超低阻SGT MOSFET,刷新了中壓MOSFET的性能極限
  • VBGED1401——LFPAK56封裝,40V/0.8mΩ超低阻SGT MOSFET,刷新了中壓MOSFET的性能極限
    2025-12-09 150次

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