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在數(shù)據(jù)中心、工業(yè)自動(dòng)化及新能源領(lǐng)域，MOSFET的導(dǎo)通損耗與動(dòng)態(tài)響應(yīng)直接影響系統(tǒng)能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，結(jié)合屏蔽柵技術(shù)，突破傳統(tǒng)性能瓶頸。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低導(dǎo)通電阻與300A持續(xù)電流能力，在高功率應(yīng)用領(lǐng)域持續(xù)輸出。

一、技術(shù)突破：PowerTrench工藝與屏蔽柵設(shè)計(jì)

MDDG03R01G在柵源電壓 VGS = 10V、漏極電流 ID = 50A 的條件下，其最大導(dǎo)通電阻 RDS (on) 僅為 1.0mΩ。如此低的導(dǎo)通電阻，能夠有效降低器件在工作過(guò)程中的功率損耗，提高系統(tǒng)的整體效率。此外，該產(chǎn)品具備極低的反向恢復(fù)電荷 Qrr，這一特性對(duì)于提高開(kāi)關(guān)頻率、降低開(kāi)關(guān)損耗至關(guān)重要，有助于實(shí)現(xiàn)更高效的電源轉(zhuǎn)換和更快速的信號(hào)處理。同時(shí)，MDDG03R01G 通過(guò)了 100% UIS 測(cè)試，確保了產(chǎn)品的一致性和可靠性，并且完全符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，滿足環(huán)保要求。

二、核心性能與關(guān)鍵參數(shù)

1. 導(dǎo)通與動(dòng)態(tài)特性  

低壓驅(qū)動(dòng)兼容性：在VGS=4.5V, ID=30A時(shí)最大導(dǎo)通電阻仍保持1.6mΩ水準(zhǔn)，適配低壓控制電路。

低柵極電荷（Qg=61nC）：減少開(kāi)關(guān)損耗，支持高頻應(yīng)用（如400kHz LLC拓?fù)洌?/span>

快速開(kāi)關(guān)響應(yīng)：開(kāi)啟延遲（td(on)）僅10ns。關(guān)斷延遲（td(off)）71ns

超強(qiáng)電流承載：300A持續(xù)電流（Tc=25℃），1200A脈沖電流，滿足嚴(yán)苛負(fù)載需求。

2、工業(yè)級(jí)可靠性

100% UIS測(cè)試：?jiǎn)蚊}沖雪崩能量EAS達(dá)到430.5mJ(VDD=24V, L=0.5mH, IAS=41.5A)時(shí)，保障感性負(fù)載安全性。

寬溫工作范圍：-55℃~150℃，適應(yīng)極端環(huán)境。

三、應(yīng)用場(chǎng)景深度適配

1. 專為ATX/服務(wù)器/電信電源的同步整流而生

0.75mΩ RDS(on)：其低導(dǎo)通電阻和高開(kāi)關(guān)性能能夠顯著提升電源的轉(zhuǎn)換效率，降低發(fā)熱，延長(zhǎng)設(shè)備的使用壽命

低Qrr特性：優(yōu)化LLC諧振拓?fù)湫剩瑵M載效率提升1.5%

2. 工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)與UPS

300A持續(xù)電流：支持伺服電機(jī)、AGV小車瞬間啟停，耐受1200A脈沖沖擊。

軟恢復(fù)體二極管：反向恢復(fù)時(shí)間（trr）82ns，降低EMI干擾。

3.高功率DC-DC轉(zhuǎn)換器

高頻開(kāi)關(guān)能力：開(kāi)啟延遲10ns，關(guān)斷延遲71ns，適配Buck/Boost拓?fù)?/span>。實(shí)現(xiàn)高效的電壓轉(zhuǎn)換，滿足不同負(fù)載對(duì)電源的需求。

PDFN5×6-8L封裝：底部散熱焊盤設(shè)計(jì)，通過(guò)大面積銅箔降低熱阻。

四、選型推薦

除此之外，MDD新推出的低壓大電流系列MOS針對(duì)不同的應(yīng)用場(chǎng)景，推出不同的型號(hào)，以滿足各行業(yè)匹配需求。