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近日，國內(nèi)功率半導體領域迎來突破性進展——微碧半導體（VBsemi）正式推出新品VBGQTA1101，采用創(chuàng)新TOLT-16封裝。這不僅是中國首款采用頂部散熱技術的功率MOSFET，更以"熱傳導與電流路徑解耦"的核心設計，實現(xiàn)了功率密度與散熱效率的跨越式升級，標志著我國在高功率半導體封裝技術領域成功躋身國際先進行列！

創(chuàng)新封裝，破解高功率散熱難題

VBGQTA1101采用的TOLT封裝，通過將散熱路徑與電流傳輸路徑分離，徹底解決了傳統(tǒng)封裝中熱管理與電氣性能相互制約的痛點：

- 熱阻大幅降低90%，整體耗散功率提升超90%，輕松應對415A大電流、100V高壓的嚴苛工況；

- 結區(qū)到散熱器熱阻降低20%以上，即使在FR4標準PCB板上，也能顯著降低電路板溫度；

- 頂部直連散熱器，消除PCB焊料熱阻，為工程師提供"更高功率輸出"或"更省冷卻成本"的靈活選擇。

無引腳封裝當中從性能最小DFN2X2到最大的 TOLL封裝，其中TOLT又是基于TOLL為基礎的全新封裝。下面是TOLL封裝和TOLT封裝的對比

可以發(fā)現(xiàn)和TOLL封裝相比較，TOLT最大的改進在于熱阻降低非常明顯整體耗散功提升超過90%以上。

TOLT封裝還具有以下優(yōu)點：

1，TOLT封裝技術能實現(xiàn)極高的功率輸出。得益于頂部散熱設計帶來的顯著提升，該方案無需增加元件數(shù)量和系統(tǒng)體積即可滿足高功率需求應用。正因如此，TOLT封裝特別適用于大電流應用場景。如電動自行車、電動滑板車、電動摩托車、微型電動車和叉車等應用。

2，消除PCB和焊料互連來縮短散熱通路，對MOSFET的性能提升具有顯著影響。有實驗對這兩種方案進行了研究，結果顯示：即使采用傳統(tǒng)方案，使用FR4型PCB時，從結區(qū)到散熱器的總熱阻仍可至少降低20%。對于研發(fā)工程師而言，這意味著要么在相同功率應用下節(jié)

省冷卻系統(tǒng)成本，要么通過相同系統(tǒng)架構實現(xiàn)更高功率輸出。

3，由于底部無需散熱，其它元器件可以設計在另外一面，更加節(jié)省空間，同時源極和漏極爬電距離增加，絕緣效果更好。

多領域應用，賦能產(chǎn)業(yè)升級

電動交通領域

電機控制器：作為電機驅(qū)動的核心開關元件，確保大電流下的高效可靠運行

電池管理系統(tǒng)：在充放電回路中提供高效的功率控制，提升能源利用率

DC-DC轉(zhuǎn)換器：為車載電源系統(tǒng)提供穩(wěn)定可靠的功率轉(zhuǎn)換

應用模塊：電動自行車控制器、電動摩托車驅(qū)動模塊、叉車電控系統(tǒng)

工業(yè)自動化

伺服驅(qū)動器：滿足高動態(tài)響應下的峰值電流需求，提升控制精度

工業(yè)電源：在大功率開關電源中實現(xiàn)更高效率的功率轉(zhuǎn)換

變頻器模塊：為電機驅(qū)動提供可靠的功率輸出，適應嚴苛工業(yè)環(huán)境

應用模塊：PLC功率輸出模塊、機械臂伺服驅(qū)動、智能倉儲物流系統(tǒng)

新能源與電力系統(tǒng)

光伏逆變器：提升Boost電路和逆變電路的效率與可靠性

儲能系統(tǒng)：在電池儲能單元的功率控制中發(fā)揮關鍵作用

充電設施：為電動汽車充電樁提供高效的功率處理能力

應用模塊：組串式逆變器功率模塊、直流充電樁電源模塊、儲能變流器

智能家電與消費電子

大功率電源：適配游戲本、高性能臺式機等設備的電源需求

電機驅(qū)動：驅(qū)動大功率工具、智能家電中的電機系統(tǒng)

快速充電：支持高功率密度快充解決方案的設計

應用模塊：高端游戲本電源、無人機充電基站、智能家居中央控制系統(tǒng)

功率密度躍升，重塑工業(yè)應用邊界

這款器件在同等體積下實現(xiàn)功率密度顯著提升，讓大功率設計不再受限于空間：

- RDS(10V)僅1.2mΩ，導通損耗極低，效率全面提升；

- 專為高功率密度應用優(yōu)化：在有限空間內(nèi)實現(xiàn)最大功率輸出；

- 系統(tǒng)架構簡化：無需額外增加元件，即可滿足持續(xù)增長的高功率需求。

布局革新，解鎖PCB設計新可能

TOLT封裝的底部無散熱設計，帶來更多系統(tǒng)集成優(yōu)勢：

- 雙面布局自由：PCB背面可安心布置其他元器件，空間利用率大幅提升；

- 安全性能增強：源極與漏極爬電距離增加，絕緣性能更優(yōu)，系統(tǒng)可靠性全面提升；

- 組裝工藝簡化：兼容現(xiàn)有生產(chǎn)工藝，降低制造成本。

技術領先，打破國際壟斷

目前全球已知僅英飛凌、美臺掌握類似技術，微碧半導體作為中國首家全球第三成功研發(fā)TOLT封裝功率MOSFET的企業(yè)，不僅填補了國內(nèi)技術空白，更將為工業(yè)、汽車電子、新能源等領域客戶帶來更具競爭力的國產(chǎn)高端解決方案。

VBGQTA1101關鍵參數(shù)：

- 封裝：TOLT-16

- 電壓：100V，柵極電壓±20V

- 導通電阻：1.2mΩ @10V

- 電流：415A

- 技術：SGT工藝

微碧半導體此次推出的TOLT封裝功率MOSFET，不僅是封裝技術的革新，更是對高功率應用場景的深度重構。該產(chǎn)品已進入量產(chǎn)階段，將為大功率工業(yè)應用帶來全新的技術體驗和設計可能。