


| 商品名稱 | 商品型號 | 品牌 | 價格 | 庫存 |
| IGBT管/模塊 | FGW75XS120C | FUJI(富士電機) | 17.91700 | 7200個 |
| IGBT管/模塊 | IKQ75N120CH3 | Infineon(英飛凌) | 30.70500 | 1680個 |
| 場效應(yīng)管(MOSFET) | FMW60N027S2FDHF | FUJI(富士電機) | 34.76450 | 1800個 |
| IGBT管/模塊 | IKW40N120CS6 | Infineon(英飛凌) | 13.02950 | 46個 |
| 整流橋 | US1M-E3/61T | VISHAY(威世) | 0.14145 | 1800個 |
| 穩(wěn)壓二極管 | 1N4752A-TAP | VISHAY(威世) | 0.17940 | 50000個 |
| 場效應(yīng)管(MOSFET) | IPP041N04NG | Infineon(英飛凌) | 2.24250 | 1259個 |
| IGBT管/模塊 | IKW40N120H3 | Infineon(英飛凌) | 12.56950 | 4800個 |
| 場效應(yīng)管(MOSFET) | FMH07N90E | FUJI(富士電機) | 4.40450 | 10000個 |
| 場效應(yīng)管(MOSFET) | IRFR9220TRPBF | VISHAY(威世) | 1.98950 | 20000個 |
| IGBT管/模塊 | IKW75N65EL5 | Infineon(英飛凌) | 18.17000 | 650個 |
| 整流橋 | VS-ETH0806FP-M3 | VISHAY(威世) | 2.01250 | 25000個 |
| 晶閘管(可控硅)/模塊 | VS-70TPS12PBF | VISHAY(威世) | 20.58500 | 2000個 |
| 場效應(yīng)管(MOSFET) | IMZ120R045M1 | Infineon(英飛凌) | 49.69150 | 1200個 |
| 整流橋 | GSIB2580-E3/45 | VISHAY(威世) | 7.65900 | 1200個 |
| IGBT管/模塊 | FGW75XS120C | FUJI(富士電機) | 17.91700 | 7200個 |
| IGBT管/模塊 | IKQ75N120CH3 | Infineon(英飛凌) | 30.70500 | 1680個 |
| 場效應(yīng)管(MOSFET) | FMW60N027S2FDHF | FUJI(富士電機) | 34.76450 | 1800個 |
| IGBT管/模塊 | IKW40N120CS6 | Infineon(英飛凌) | 13.02950 | 46個 |
| 整流橋 | US1M-E3/61T | VISHAY(威世) | 0.14145 | 1800個 |
| 穩(wěn)壓二極管 | 1N4752A-TAP | VISHAY(威世) | 0.17940 | 50000個 |
| 場效應(yīng)管(MOSFET) | IPP041N04NG | Infineon(英飛凌) | 2.24250 | 1259個 |
| IGBT管/模塊 | IKW40N120H3 | Infineon(英飛凌) | 12.56950 | 4800個 |
| 場效應(yīng)管(MOSFET) | FMH07N90E | FUJI(富士電機) | 4.40450 | 10000個 |
| 場效應(yīng)管(MOSFET) | IRFR9220TRPBF | VISHAY(威世) | 1.98950 | 20000個 |
| IGBT管/模塊 | IKW75N65EL5 | Infineon(英飛凌) | 18.17000 | 650個 |
| 整流橋 | VS-ETH0806FP-M3 | VISHAY(威世) | 2.01250 | 25000個 |
| 晶閘管(可控硅)/模塊 | VS-70TPS12PBF | VISHAY(威世) | 20.58500 | 2000個 |
| 場效應(yīng)管(MOSFET) | IMZ120R045M1 | Infineon(英飛凌) | 49.69150 | 1200個 |
| 整流橋 | GSIB2580-E3/45 | VISHAY(威世) | 7.65900 | 1200個 |
工業(yè)應(yīng)用
電網(wǎng)基礎(chǔ)設(shè)施
醫(yī)療應(yīng)用
新能源
汽車電子
人工智能
智能家居
儀器儀表