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英飛凌CoolSiC?雙向逆變器可用于電動(dòng)汽車(EV)家用電池充電
2022-11-21 736次

  英飛凌科技股份公司的CoolSiC?產(chǎn)品被總部位于臺(tái)灣的全球領(lǐng)先的電源管理及散熱解決方案提供商臺(tái)達(dá)電子選用,使得臺(tái)達(dá)電子向著利用綠色電力實(shí)現(xiàn)能源轉(zhuǎn)型和碳中和的目標(biāo)邁出了一大步。臺(tái)達(dá)成功開發(fā)出了雙向逆變器,即一個(gè)由太陽(yáng)能發(fā)電、儲(chǔ)能和電動(dòng)汽車(EV)充電組成的三合一混合系統(tǒng),它能夠?qū)㈦妱?dòng)汽車作為家庭應(yīng)急備用電源。

  這種雙向逆變器可用于電動(dòng)汽車(EV)家用電池充電,也可作為意外停電時(shí)的備用電源,以及高效綠色能源發(fā)電設(shè)備的核心部件。雙向逆變器配備了英飛凌的1200VM1HCoolSiC?EasyPACK?1B模塊和選用D2PAK7引腳封裝的1200VCoolSiC?MOSFET(一種表面貼裝裝置)。這三個(gè)應(yīng)用程序集成在一起,一個(gè)尺寸只有425x865x160mm3緊湊包裝實(shí)現(xiàn)了三個(gè)一系統(tǒng)的設(shè)計(jì),具有重要的里程碑意義。該系統(tǒng)的輸出功率約為10kW,允許通過的最大連續(xù)電流為34A,峰值效率可超過97.5%。



 CoolSiC? MOSFET Easy 1B

  臺(tái)達(dá)光伏逆變器事業(yè)部主管李雷鳴表示:

  英飛凌多年來一直引領(lǐng)著功率半導(dǎo)體的發(fā)展,致力于進(jìn)一步提高電源管理效率,是一個(gè)值得信賴的合作伙伴。借助英飛凌的功率半導(dǎo)體器件,我們能夠?qū)⑷N應(yīng)用整合到一個(gè)系統(tǒng)中,向著綠色能源的發(fā)展目標(biāo)邁出了一大步。

  英飛凌科技工業(yè)功率控制事業(yè)部總裁Peter Wawer博士表示:

  該項(xiàng)目是邁向碳中和道路上的一座重要里程碑,我們十分榮幸能夠成為該項(xiàng)目的重要參與者。我們期待著臺(tái)達(dá)能夠與英飛凌長(zhǎng)期合作。英飛凌的功率半導(dǎo)體器件在這套智慧能源解決方案中發(fā)揮了重要作用,對(duì)此我們深感自豪。

  創(chuàng)建這套三合一系統(tǒng)用到的重要組件包括:帶有NTC溫度傳感器、采用了壓接工藝的1200V M1H CoolSiC? EasyPACK? 1B模塊(F4-23MR12W1M1_B11)。該模塊可提供超高的設(shè)計(jì)靈活性和高電流密度。同時(shí),該模塊采用了領(lǐng)先的封裝技術(shù),與CoolSiC? MOSFET配合使用,實(shí)現(xiàn)了低電感設(shè)計(jì)以及極小的開關(guān)和導(dǎo)通損耗。它支持客戶進(jìn)行高開關(guān)頻率操作,可以讓系統(tǒng)設(shè)計(jì)得更加小巧。EasyPACK?模塊能夠幫助客戶縮短新產(chǎn)品開發(fā)時(shí)間,降低總體成本。

  該系統(tǒng)還采用了英飛凌的其他幾款半導(dǎo)體器件,其中包括采用了CoolMOS? C7和TRENCHSTOP? 5 IGBT技術(shù)的半導(dǎo)體器件,以及采用D2PAK 7引腳表面貼裝封裝的1200V CoolSiC? MOSFET(IMBG120R350M1H)。后者采用.XT互連技術(shù),具有與同類產(chǎn)品相比更加出色的熱性能,并且采用了開爾文源極概念。這些MOSFET憑借其優(yōu)勢(shì)確保了極低的開關(guān)損耗,提高了系統(tǒng)效率。



  CoolSiC? MOSFET D2PAK 7-pin

  這些半導(dǎo)體器件具有3μs的短路能力,MOSFET提供全壓擺率(dV/dt)控制以及4.5V基準(zhǔn)柵極閾值電壓(VGS(th))。它們還具備強(qiáng)大的抗寄生導(dǎo)通能力,可在0V關(guān)斷電壓下運(yùn)行。此外,這些MOSFET還包含支持硬換流的強(qiáng)大的體二極管。封裝的爬電距離和電氣間隙為6.1mm。由于采用SMD封裝,這些MOSFET可以直接集成到具有自然對(duì)流冷卻功能的PCB上,因此無需額外的散熱器。

  • 英飛凌的EiceDRIVER?高低邊柵極驅(qū)動(dòng)器IR2181STRPBF
  • 其中,英飛凌的EiceDRIVER? 600 V 高低邊柵極驅(qū)動(dòng)器 IC(IR2181STRPBF),具有典型的 1.9 A 拉電流和 2.3 A 灌電流,具有更高的帶載能力,可驅(qū)動(dòng) MOSFET和IGBT,為產(chǎn)品從開發(fā)設(shè)計(jì)到最終應(yīng)用全面保駕護(hù)航。
    2023-12-27 589次
  • 英飛凌門極驅(qū)動(dòng)正壓對(duì)功率半導(dǎo)體性能影響
  • 對(duì)于半導(dǎo)體功率器件來說,門極電壓的取值對(duì)器件特性影響很大。以前曾經(jīng)聊過門極負(fù)壓對(duì)器件開關(guān)特性的影響,而今天我們來一起看看門極正電壓對(duì)器件的影響。文章將會(huì)從導(dǎo)通損耗,開關(guān)損耗和短路性能來分別討論。
    2023-12-22 553次
  • Neutron Controls與英飛凌合作汽車電池管理平臺(tái)
  • 英飛凌科技的解決方案可幫助工程師開發(fā)可靠的汽車電池管理系統(tǒng)(BMS)。英飛凌首選設(shè)計(jì)公司Neutron Controls現(xiàn)已發(fā)布ECU8?系統(tǒng)平臺(tái),能夠加速基于英飛凌芯片組的電池管理系統(tǒng)(BMS)開發(fā)。通過該平臺(tái),Neutron Controls及其設(shè)計(jì)服務(wù)客戶可以為電池管理單元提供完整的半導(dǎo)體硬件和軟件平臺(tái)解決方案,并符合ASIL-D, ISO26262標(biāo)準(zhǔn),從而顯著減少開發(fā)工作量。
    2023-10-30 874次
  • 英飛凌完成收購(gòu)氮化鎵系統(tǒng)公司GaN Systems
  • 德國(guó)慕尼黑和加拿大渥太華訊——英飛凌科技于2023年10月24日宣布完成收購(gòu)氮化鎵系統(tǒng)公司(GaN Systems,以下同)。這家總部位于加拿大渥太華的公司,為英飛凌帶來了豐富的氮化鎵 (GaN) 功率轉(zhuǎn)換解決方案產(chǎn)品組合和領(lǐng)先的應(yīng)用技術(shù)。
    2023-10-30 883次
  • 英飛凌采用150V OptiMOS功率MOSFET 電機(jī)驅(qū)動(dòng)評(píng)估板
  • EVAL-6ED2742S01QM1評(píng)估套件包括一塊三相逆變功率板,內(nèi)含額定電壓為160V 的6ED2742S01Q(5x5 VQFN-32)三相柵極驅(qū)動(dòng)器,驅(qū)動(dòng)六個(gè)額定電壓為150V的 OptiMOS? MOSFET BSC074N15NS5 (5x6 Super SO8)。
    2023-10-25 905次

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