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  內(nèi)存接口芯片綜述

  內(nèi)存模給是芯片組可以支持的標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)存插槽數(shù)量。由于每個(gè)芯片組對(duì)內(nèi)存芯片的數(shù)據(jù)深度和數(shù)據(jù)總寬度的支持不同，它實(shí)際上決定了每個(gè)內(nèi)存BANK的最大容量，從而決定了芯片組可以支持的內(nèi)存BANK數(shù)量。常見(jiàn)的內(nèi)存模組通常有SODIMM(SmallOutlineDIMM，小型雙列直插內(nèi)存模組)、UDIMM(UnbufferedDIMM，無(wú)緩沖雙列直插內(nèi)存模組)、和LRDIMM(Load Reduced DIMM，減載雙列直插內(nèi)存模組)。服務(wù)器領(lǐng)域目前主要使用URIMM、RDIMM和LRDIMM這3種。

  常見(jiàn)內(nèi)存模組種類

  內(nèi)存接口芯片是服務(wù)器內(nèi)存模組核心邏輯器件，位于CPU和DRAM內(nèi)存顆粒通路之間。由于CPU主頻頻率(GHz級(jí))遠(yuǎn)大于內(nèi)存顆粒核心頻率(MHz級(jí))，內(nèi)存讀取數(shù)據(jù)速度遠(yuǎn)小于CPU計(jì)算速度，因此需要內(nèi)存接口芯片緩沖來(lái)提升數(shù)據(jù)訪問(wèn)速度及穩(wěn)定性。

  內(nèi)存接口芯片主要包括寄存緩沖器(Register Clock Driver，RCD)和數(shù)據(jù)緩沖器(Data Buffer，DB)。RDIMM僅采用了一顆RCD芯片，而LRDIMM采用了RCD和DB套片組合，在DDR4世代是“1+9”架構(gòu)即1顆RCD和9顆DB芯片，在DDR5世代則演變成“1+10”架構(gòu)。

  內(nèi)存接口芯片產(chǎn)業(yè)鏈

  從服務(wù)器/云服務(wù)產(chǎn)業(yè)鏈來(lái)看，內(nèi)存接口芯片處于服務(wù)器產(chǎn)業(yè)鏈上游，在DDR4及之前僅用于服務(wù)器，DDR5及之后也可供應(yīng)PC、筆電，廠商出貨與下游服務(wù)器采購(gòu)周期密切相關(guān)。

  服務(wù)器/云服務(wù)產(chǎn)業(yè)鏈

  從內(nèi)存接口芯片產(chǎn)業(yè)鏈來(lái)看，。內(nèi)存接口芯片廠商直接向下游三星電子、海力士、美光等內(nèi)存模組廠商供貨，浪潮、IBM、Dell等服務(wù)器組裝廠商分別采購(gòu)內(nèi)存模組和CPU等進(jìn)行整機(jī)組裝，從而再銷(xiāo)售給Amazon、Google、Microsoft等云服務(wù)廠商，因此內(nèi)存接口芯片廠商的產(chǎn)品需經(jīng)過(guò)CPU廠商、DRAM廠商、OEM廠商的認(rèn)證，認(rèn)證門(mén)檻高。