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  由AspenCore主辦的2022國際集成電路展覽會暨研討會(IIC)已于11月10日 - 11日在深圳順利舉辦。在大會同期舉辦的2022全球電子成就獎(World Electronics Achievement Awards, WEAA)評選中，Nexperia(安世半導(dǎo)體)的適用于安全氣囊的汽車ASFETs斬獲年度功率半導(dǎo)體/驅(qū)動器大獎(Power Semiconductor / Driver of the year)。Nexperia(安世半導(dǎo)體)MOSFET 業(yè)務(wù)集團大中華區(qū)總監(jiān)李東岳代表安世半導(dǎo)體領(lǐng)獎。

  獎項介紹

  全球電子成就獎 (World Electronics Achievement Awards) 旨在評選并表彰對推動全球電子產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新做出杰出貢獻的企業(yè)和管理者，對獲獎公司以及個人來說，全球電子成就獎的獲得是一項崇高的榮譽，是躋身全球電子行業(yè)頂級品牌企業(yè)圈強有力的“背書”，是與其他品牌企業(yè)達成合作的支持力量。各類獎項獲得提名的企業(yè)、管理者及產(chǎn)品均為行業(yè)領(lǐng)先者，充分體現(xiàn)了其在業(yè)界的領(lǐng)先地位與不凡表現(xiàn)。

  獲獎產(chǎn)品

  Nexperia(安世半導(dǎo)體)于2022年5月推出了用于自動化安全氣囊應(yīng)用的專用 MOSFET (ASFET) 新產(chǎn)品組合，采用了新型增強安全工作區(qū) (SOA) 技術(shù)。該技術(shù)專為提供出色的瞬態(tài)線性模式性能(安全氣囊應(yīng)用中的一個關(guān)鍵指標)而量身定制。

  與傳統(tǒng) DPAK 封裝相比，ASFETs 產(chǎn)品組合結(jié)合了最新的硅溝槽技術(shù)和 LFPAK 封裝，使其能夠滿足最新的可靠性標準并額外節(jié)省了空間( LFPAK56 為 53%，LFPAK33 可達 84%)。

  在挑選 MOSFET 來調(diào)節(jié)安全氣囊系統(tǒng)中引爆管的電源電壓時，歷來僅有較為陳舊的硅技術(shù)可供選擇，例如傳統(tǒng)的焊線 DPAK 封裝。這是因為在線性模式下操作時，具有更寬單元間距的溝槽技術(shù)的安全操作區(qū)域(SOA)更大。MOSFET 必須能夠處理與系統(tǒng)中引爆管數(shù)量成正比的電流，同時調(diào)節(jié)其電源電壓足夠長的時間以激活安全氣囊。

  Nexperia(安世半導(dǎo)體)設(shè)計了一系列專用 MOSFETs (ASFETs) 來滿足安全氣囊應(yīng)用的特殊需求，專注于增強 SOA 性能以改進線性模式。

  Nexperia 的高級產(chǎn)品營銷經(jīng)理 Norman Stapelberg 表示：

  其他同類產(chǎn)品使用的是舊 DPAK 封裝，通?；?DMOS 和第一代 Trench 技術(shù)，而這些技術(shù)正逐漸被許多晶圓制造商淘汰。此 ASFET 產(chǎn)品組合搭配使用最新的晶圓 Trench 技術(shù)和 LFPAK 封裝，可滿足最新的可靠性標準。借助最新的制造和封裝技術(shù)，Nexperia(安世半導(dǎo)體)提高了供應(yīng)鏈的可持續(xù)性，并能夠更好地滿足此類產(chǎn)品持續(xù)增長市場的需求。

  該產(chǎn)品主要面向的應(yīng)用市場為12V汽車系統(tǒng)與安全氣囊爆管電壓調(diào)節(jié)器MOSFETs。