當(dāng)今的智能 PMIC 包括可編程上電和斷電順序、外部事件檢測、對可能導(dǎo)致 PMIC 損壞的過電壓和電流條件進(jìn)行的系統(tǒng)監(jiān)控、故障處理,其中 PMIC 控制系統(tǒng)并防止斷電,以及電池容量預(yù)測和電池管理的算法實現(xiàn),所有這些都在數(shù)字邏輯中實現(xiàn)。根據(jù)最終應(yīng)用,需要激活部分或全部功能。配置允許為一系列應(yīng)用程序構(gòu)建平臺 PMIC,并允許自定義功能。
PMIC 可通過非易失性存儲器 (NVM) 進(jìn)行校準(zhǔn)和配置,為目標(biāo)應(yīng)用提供正確的電壓和功率序列,或為終端系統(tǒng)提供可配置的功能。
一些 PMIC 在工廠進(jìn)行過一次校準(zhǔn)和配置,對于這些 PMIC 來說,面積利用率高的一次性可編程 (OTP) NVM 是最佳選擇。當(dāng) PMIC 在其生命周期內(nèi)預(yù)期被校準(zhǔn)和重新配置多次時,可以使用多次編程 (MTP) NVM。
BCD 硅工藝將三種不同工藝技術(shù)的優(yōu)勢結(jié)合到一個芯片上:雙極用于精確模擬功能,CMOS 用于數(shù)字設(shè)計,DMOS 用于電源和高壓元件。這種技術(shù)組合為 PMIC 帶來了許多優(yōu)勢:更高可靠性,更少電磁干擾,更小芯片面積。由于這些優(yōu)勢,大多數(shù) PMIC 制造商選擇了 BCD 工藝來制造 PMIC。
PMIC 可以通過多種方式制造。由于其對成本頗為敏感,因此 PMIC 制造商通常選擇光罩層數(shù)量最少的制造工藝。為了幫助 PMIC 制造商,NVM IP 供應(yīng)商必須與 PMIC 制造商保持一致,并以同一流程的多個變體提供 IP。NVM 對制造工藝非常敏感,而且必須對 PMIC 制造商所用的器件組合進(jìn)行硅材料合格認(rèn)證。
圖 1:基于反熔絲的 OTP 本質(zhì)上是安全的,無法判斷該 OTP 是否已編程
嵌入式 NVM 在 PMIC 中的作用
PMIC 廣泛用于移動應(yīng)用,包括智能手機(jī)、可穿戴設(shè)備、可聽戴設(shè)備、筆記本電腦和平板電腦。它們還用于智能電機(jī)控制、照明控制和工業(yè)控制應(yīng)用。
當(dāng)今的 PMIC 是智能和可配置的,并且以模塊化方式構(gòu)建。根據(jù)最終應(yīng)用和所需的電壓或功率排序,存儲在 NVM 中的可配置固件會針對特定應(yīng)用自定義 PMIC。當(dāng)汽車應(yīng)用中需要頻繁進(jìn)行固件更新時,可重新編程的 NVM 或 MTP NVM 是最佳選擇。然而,如果固件預(yù)期在產(chǎn)品的生命周期內(nèi)僅被編程一次,則首選 OTP NVM 形式的面積利用率更高的 IP。
此外,NVM 還用于存儲輸出電壓、電流限制、上電復(fù)位延遲、上電延遲、電壓斜坡率、待機(jī)模式設(shè)置以及電源良好和無效的電源條件設(shè)置的值。
由于 PMIC 具有模擬電路,因此在工廠或現(xiàn)場制造后需要進(jìn)行修整和校準(zhǔn),以使產(chǎn)品準(zhǔn)備好用于預(yù)期用途。這些設(shè)置也存儲在嵌入式 NVM 中。
為什么不使用晶圓廠提供的電熔絲?
350nm 和 250nm 等成熟工藝節(jié)點的設(shè)計是簡單的電源管理 IC。它們通常是模擬的,幾乎沒有數(shù)字控制邏輯。使用晶圓廠提供的電熔絲來存儲模擬電路的校準(zhǔn)信息(高達(dá) 2Kb)。在小型容量和成熟工藝節(jié)點處,晶圓廠提供的電熔絲具有較高的面積利用率、可靠性,并能滿足其用途。隨著 PMIC 變得更加智能,引入了更多的數(shù)字控制,并且隨著它們遷移到更高級的工藝幾何尺寸,需要更大的內(nèi)存容量。
電熔絲在更大容量下不具有面積利用率高的優(yōu)勢,并且在產(chǎn)品的整個使用壽命中都存在再增長問題,因此不可靠。電熔絲再增長源于電遷移,導(dǎo)致熔斷的熔絲重新連接,而且隨著時間的推移,會改變存儲的值。此外,電熔絲無法實際用于存儲固件,固件需要 64 – 256Kb 的容量。最后,電熔絲不提供任何安全保障,使得存儲在其中的信息在掃描電子顯微鏡下可見,并且使得這些信息容易受到黑客的攻擊。
用于高級節(jié)點的 NVM
MTP 和反熔絲 OTP NVM 大約 10 年前就已廣泛投入商業(yè)生產(chǎn),完全可靠且可擴(kuò)展。制造 NVM 器件不需要特殊的光罩或工藝步驟。它們在 180nm 和 BCD 工藝中以更小的幾何形狀進(jìn)入批量生產(chǎn)。隨著 BCD 工藝的縮小,MTP 和反熔絲 OTP 已在高達(dá) 55nm 的高級節(jié)點中進(jìn)行設(shè)計。
NVM 可靠性
在汽車和工業(yè)應(yīng)用的惡劣環(huán)境中,可靠性是另一個關(guān)鍵要求。在高達(dá) 150°C 甚至 175°C 的高工作溫度下經(jīng)過適當(dāng)認(rèn)證,并經(jīng)過早期故障率測試后,MTP 和反熔絲 OTP NVM 在產(chǎn)品的使用壽命中表現(xiàn)出卓越的可靠性、耐久性和數(shù)據(jù)保留能力。
NVM 安全性
反熔絲 OTP NVM 不容易受到試圖通過改變電壓或溫度而發(fā)起的任何被動或侵入性安全攻擊的影響。由于反熔絲 OTP NVM 按照氧化物分解原理運(yùn)行以表示編程位,因此即使借助掃描電子顯微鏡,也無法在視覺上區(qū)分編程位和未編程位。
專為 PMIC 應(yīng)用設(shè)計的 MTP 和反熔絲 OTP NVM 可在所有方面提供:經(jīng)濟(jì)高效、功耗最低、優(yōu)化編程和擦除周期時間,并在系統(tǒng)啟動時提供快速讀取時間。
為 PMIC 選擇 NVM 的注意事項
在選擇晶圓廠進(jìn)行制造時,PMIC 設(shè)計人員首先要考慮以下因素:
●終端市場(消費(fèi)者或汽車)
●終端市場的產(chǎn)品要求
●工藝節(jié)點的選擇(基于之前的分析)
●預(yù)計生產(chǎn)量
●特定時間范圍內(nèi)所需的預(yù)期晶圓
●晶圓廠
為 PMIC 制造商的項目分配晶圓的能力和意愿滿足預(yù)期的晶圓價格。
做出這些決定后,PMIC 制造商開始尋找在選擇的晶圓廠和工藝節(jié)點中可用且合格的 NVM IP。
選擇 NVM IP 的 4 個最重要的考慮因素是:
●產(chǎn)能情況
●隨著最近全球?qū)τ糜?/span> PMIC 的晶圓的需求激增,晶圓廠的產(chǎn)能緊張,PMIC 設(shè)計公司正在努力尋找一家半導(dǎo)體制造供應(yīng)商,該供應(yīng)商能夠以合理的價格及時提供晶圓分配,以滿足產(chǎn)品增長預(yù)測。
●總擁有成本
●總擁有成本是 IP 采購成本、硅成本以及 NVM 編程成本的總和。
●安全性
●存儲關(guān)鍵電壓和電流值、電源序列以及潛在固件代碼的 NVM 必須安全可靠,才可確保系統(tǒng)的安全性。
●可靠性和耐久性
●針對汽車應(yīng)用的 NVM 必須根據(jù)晶圓廠提供的汽車物理設(shè)計套件 (PDK) 來予以設(shè)計和驗證,并遵守嚴(yán)格的汽車設(shè)計指南。
適用于 PMIC 應(yīng)用的 DesignWare NVM IP
DesignWare® MTP NVM IP 和 DesignWare OTP NVM IP 可在標(biāo)準(zhǔn) CMOS 和 BCD 工藝中提供可擴(kuò)展且可靠的嵌入式內(nèi)存 NVM 解決方案,而無需額外的工藝或光罩步驟。專利技術(shù)提供較小的硅封裝,并優(yōu)化編程和讀取訪問時間。反熔絲 OTP NVM 內(nèi)置的安全功能可防止主動和被動攻擊、篡改、黑客攻擊和反向工程。
可定制的宏,使在需要安全地存儲修調(diào)、校準(zhǔn)和配置信息的 PMIC 應(yīng)用中實現(xiàn)設(shè)計靈活性。
DesignWare MTP NVM IP 和 DesignWare NVM OTP NVM IP 符合汽車 AEC-Q100 0 級和 1 級溫度標(biāo)準(zhǔn),可加快 SoC 級開發(fā),即使在嚴(yán)苛的汽車制造環(huán)境中也不例外。它們在多個代工廠和工藝節(jié)點之間可用。
Synopsys 的 MTP 和反熔絲 OTP NVM IP 已被廣泛應(yīng)用于各種系統(tǒng),包括消費(fèi)和汽車應(yīng)用中最先進(jìn)的 PMIC。
所有系統(tǒng)都需要精心向組件提供電壓和電流,以實現(xiàn)可靠和可預(yù)測的功能。PMIC 提供精心控制的電壓和電流,以實現(xiàn)消費(fèi)、汽車和工業(yè)應(yīng)用的正常運(yùn)行。PMIC 是模擬量豐富的設(shè)計,需要校準(zhǔn)來補(bǔ)償和校正半導(dǎo)體制造的變化。較新的 PMIC 包含越來越多的數(shù)字邏輯,允許針對多個終端應(yīng)用進(jìn)行定制和配置。OTP 或 MTP NVM 是存儲校準(zhǔn)和配置信息的理想選擇。
Synopsys DesignWare NVM IP 在標(biāo)準(zhǔn) CMOS 和 BCD 工藝技術(shù)中提供 OTP 和 MTP NVM,無需額外的光罩或工藝步驟。Synopsys 的 MTP 和反熔絲 OTP NVM IP 具有較小的硅片尺寸,其內(nèi)置的安全功能可防止主動和被動攻擊、篡改、黑客攻擊和逆向工程。它們已被廣泛應(yīng)用于各種系統(tǒng),涵蓋消費(fèi)和汽車應(yīng)用中高度發(fā)達(dá)的 PMIC。