h1_key

當(dāng)前位置:首頁 >新聞資訊 > 行業(yè)資訊>瑞薩>半導(dǎo)體加工技術(shù)的歷史、趨勢和演變
半導(dǎo)體加工技術(shù)的歷史、趨勢和演變
2023-08-03 726次

  半導(dǎo)體技術(shù)工藝節(jié)點是衡量芯片晶體管和其他組件尺寸的標準。這些年來,節(jié)點的數(shù)量一直在穩(wěn)步增加,導(dǎo)致計算能力也相應(yīng)增加。一般來說,工藝節(jié)點越小,特征尺寸越小,晶體管越小,速度越快,越節(jié)能。

半導(dǎo)體行業(yè)正在經(jīng)歷數(shù)字、模擬、工具、制造技術(shù)和材料方面的巨大進步。芯片開發(fā)在從設(shè)計到生產(chǎn)的各個層面都需要高度精密和復(fù)雜的過程。推進這一過程需要從建筑設(shè)計到可持續(xù)材料和端到端制造的重大變革,以滿足對半導(dǎo)體不斷增長的需求。為實現(xiàn)這一目標,業(yè)界正在采用最新技術(shù)來提高高度先進工藝節(jié)點的效率和產(chǎn)量。

 

  半導(dǎo)體,物聯(lián)網(wǎng)和數(shù)字化轉(zhuǎn)型的支柱

  我們正在見證物聯(lián)網(wǎng)(IoT)、智能設(shè)備和最近的5G領(lǐng)域的重大進步。要了解這些創(chuàng)新將引領(lǐng)我們走向何方,以及我們應(yīng)該對它們有何期待,我們需要對使這一新的創(chuàng)新浪潮成為可能的基礎(chǔ)技術(shù)有一個基本的了解。隨著半導(dǎo)體技術(shù)驅(qū)動的物聯(lián)網(wǎng)(IoT)和5G的發(fā)展,人工智能的演進將比以往任何時候都更快。在過去的30年里,半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展一直是計算能力增長的原動力。據(jù)說半導(dǎo)體約占計算硬件成本的 50%?;诎雽?dǎo)體技術(shù),人工智能計算設(shè)備與社會的融合將更加無縫和無孔不入。一個例子是自動駕駛汽車,它使用無處不在的移動邊緣計算和復(fù)雜的算法來處理和分析駕駛數(shù)據(jù)。基于5G通信基礎(chǔ)設(shè)施,人工智能(AI)和機器學(xué)習(xí)使用計算機視覺了解周圍場景,然后規(guī)劃和執(zhí)行安全駕駛操作。這使出行更安全、更智能、更高效。物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備幾乎可以將任何產(chǎn)品變成智能設(shè)備,從供水系統(tǒng)到服裝。零售、醫(yī)療保健、生命科學(xué)、消費品和工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)都有很高的需求。

  

 

 

未來的創(chuàng)新還將使個性化芯片更容易獲得,并使芯片生產(chǎn)更有效,最重要的是,更具可持續(xù)性。隨著互聯(lián)設(shè)備越來越普遍,物聯(lián)網(wǎng)(IoT)對半導(dǎo)體行業(yè)非常重要。隨著智能手機行業(yè)停滯不前,半導(dǎo)體行業(yè)必須尋找其他具有增長潛力的途徑。盡管面臨挑戰(zhàn),物聯(lián)網(wǎng)仍然是該行業(yè)最合乎邏輯的選擇。沒有傳感器和集成電路,物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用就無法運行,因此所有物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備都需要半導(dǎo)體。多年來推動半導(dǎo)體行業(yè)增長的智能手機市場已經(jīng)開始趨于平穩(wěn)。物聯(lián)網(wǎng)市場可以為半導(dǎo)體制造商帶來新的收入,并在可預(yù)見的未來保持半導(dǎo)體行業(yè)以3%至4%復(fù)合年增長率的增長。

 

  半導(dǎo)體的大趨勢和未來機遇

半導(dǎo)體技術(shù)工藝節(jié)點是衡量芯片晶體管和其他組件尺寸的指標。這些年來節(jié)點的數(shù)量一直在穩(wěn)步增加,導(dǎo)致計算能力相應(yīng)增加。節(jié)點通常意味著不同的電路世代和架構(gòu)。一般來說,更小的技術(shù)節(jié)點意味著更小的特征尺寸,這會產(chǎn)生更小、更快、更節(jié)能的晶體管。這種趨勢使我們能夠開發(fā)更強大的計算機和更小尺寸的設(shè)備。工藝節(jié)點和CMOS晶體管性能之間存在關(guān)系。頻率、功率和物理尺寸都受工藝節(jié)點選擇的影響。這就是了解半導(dǎo)體工藝如何隨時間演變的重要性的原因。半導(dǎo)體技術(shù)節(jié)點的歷史可以追溯到20世紀70年代,當(dāng)時英特爾發(fā)布了第一款微處理器4004。從那時起,由于半導(dǎo)體技術(shù)節(jié)點尺寸的進步,我們看到計算能力呈指數(shù)級增長。這使我們能夠創(chuàng)造出更小、功能更強大的設(shè)備,例如智能手機、平板電腦和可穿戴設(shè)備。Apple A15 Bionic是當(dāng)今大多數(shù)Apple最新產(chǎn)品的核心,采用7納米節(jié)點技術(shù)的近40億個工作晶體管。

 

  工藝節(jié)點在半導(dǎo)體技術(shù)中的作用

  半導(dǎo)體節(jié)點是決定微控制器性能的關(guān)鍵因素。隨著技術(shù)的進步,每個微控制器中的節(jié)點數(shù)量不斷增加。這一趨勢在過去幾年中已經(jīng)觀察到,預(yù)計今后將繼續(xù)下去。技術(shù)節(jié)點(也稱為工藝節(jié)點、工藝技術(shù)或簡稱為節(jié)點)是指特定的半導(dǎo)體制造工藝及其設(shè)計規(guī)則。不同的節(jié)點通常意味著不同的電路世代和架構(gòu)。一般來說,工藝節(jié)點越小,特征尺寸越小,晶體管越小,速度越快,越節(jié)能。歷史上,工藝節(jié)點名稱指的是晶體管的許多不同特性,包括柵極長度和M1半節(jié)距。最近,由于各種營銷活動和代工廠之間的分歧,這個數(shù)字本身已經(jīng)失去了它曾經(jīng)擁有的確切含義。較新的技術(shù)節(jié)點,如22納米、16納米、14納米和10納米,僅指采用特定技術(shù)制造的特定世代芯片。它不對應(yīng)于柵極長度或半間距。盡管如此,命名約定還是得到了尊重,這就是主要代工廠對節(jié)點的稱呼。

  

 

 

早期的半導(dǎo)體工藝有任意的名稱,例如,HMOS III,CHMOS V。后來,每個新一代工藝都被稱為技術(shù)節(jié)點或工藝節(jié)點,以工藝晶體管的納米(或歷史上的1微米)工藝的最小特征尺寸來表示柵極長度,例如“90納米工藝”。然而,自1994年以來,情況發(fā)生了變化,用于命名工藝節(jié)點的納米數(shù)已成為一個營銷術(shù)語,與實際特征尺寸或晶體管密度(每平方毫米的晶體管數(shù)量)無關(guān)。

 

  技術(shù)節(jié)點流程的演變

  本質(zhì)上,技術(shù)節(jié)點是對應(yīng)于晶體管的物理特征尺寸。最初,每個微控制器都是由晶體管組成的,晶體管基本上是控制電流流動的開關(guān),允許微控制器執(zhí)行其邏輯功能。諸如28納米或65納米的技術(shù)節(jié)點指的是可以繪制在布局上的最小數(shù)據(jù)圖形特征(半個間距或柵極長度)。然而,技術(shù)節(jié)點的命名沒有標準化。諸如28 nm或65 nm之類的節(jié)點名稱實際上來自傳統(tǒng)平面MOSFET配置中所示的晶體管的最小柵極長度。一般來說,技術(shù)節(jié)點給出了晶體管在每平方毫米基板上的密集程度。從22納米技術(shù)開始,該技術(shù)已經(jīng)轉(zhuǎn)向鰭式場效應(yīng)晶體管(FinFET),其中FinFET后面的架構(gòu)是三維配置,并且柵極長度的術(shù)語不再適合描述工藝技術(shù)。如今,隨著技術(shù)從平面結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)向FinFET或全柵極FET(GAA FET),10和5納米等技術(shù)節(jié)點不再對應(yīng)于任何柵極長度或半間距距離。

  

 

 

  瑞薩電子在開發(fā)支持下一代物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備的新工藝技術(shù)方面發(fā)揮著至關(guān)重要的作用。隨著物聯(lián)網(wǎng)(IoT)變得越來越重要,設(shè)備設(shè)計人員現(xiàn)在正在尋找使他們的設(shè)備更小、更快和更節(jié)能的方法。為了滿足這些需求,瑞薩開發(fā)了一種新的工藝技術(shù),使物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備的體積比以前小得多,同時功耗更低。40納米工藝針對基于閃存的微控制器的最低功耗和最高性能進行了優(yōu)化,而110納米工藝針對寬電壓范圍和最低功耗操作進行了優(yōu)化。結(jié)果是瑞薩電子的RL78、RA和RX微控制器比以往任何時候都執(zhí)行得更快,功耗比以往任何時候都低,同時仍保留其所有功能和特性

  瑞薩一直是工業(yè)和消費電子產(chǎn)品半導(dǎo)體解決方案的領(lǐng)先提供商,并以其在開發(fā)新技術(shù)以支持物聯(lián)網(wǎng)(IoT)和最近的AIOT(人工物聯(lián)網(wǎng))方面的先進工藝而聞名。這方面的一個例子是我們專注于開發(fā)110納米領(lǐng)域的內(nèi)部低功耗工藝技術(shù),即MF4。它允許瑞薩開發(fā)適用于廣泛終端的超低功耗設(shè)備。隨著我們邁向一個從汽車到家電的一切都與互聯(lián)網(wǎng)相連的世界,對這種低功耗設(shè)備的需求變得越來越重要,而且隨著越來越多的設(shè)備聯(lián)網(wǎng),對能源消耗的需求也在增加。為了解決這一問題,瑞薩開發(fā)了一種新的電源管理系統(tǒng),可降低高達30%的能耗。這個新系統(tǒng)允許他們制造比以前更小的芯片,需要更少的能量。

  瑞薩豐富的微控制器和SoC產(chǎn)品線提供廣泛的數(shù)字和模擬功能,包括各種物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用所需的寬性能范圍和低功耗或能量收集能力。為了從頭到尾支持您的設(shè)計,瑞薩還提供合作伙伴平臺、軟件和開發(fā)工具。瑞薩電子的IC和模塊使您能夠精確地感知、理解和發(fā)送來自傳感器的智能數(shù)據(jù)到云端。我們誠邀您利用我們先進的半導(dǎo)體技術(shù),滿足您的功耗、性能和安全要求,并幫助您在創(chuàng)紀錄的時間內(nèi)提供下一代設(shè)計。

  • 瑞薩收購Transphorm擴展電源產(chǎn)品陣容
  • 瑞薩與Transphorm宣布雙方已達成最終協(xié)議,根據(jù)該協(xié)議,瑞薩子公司將以每股5.10美元現(xiàn)金收購Transphorm所有已發(fā)行普通股,較Transphorm在2024年1月10日的收盤價溢價約35%,較過去十二個月的成交量加權(quán)平均價格溢價約56%,較過去六個月的成交量加權(quán)平均價格溢價約78%。
    2024-01-11 21370次
  • 瑞薩電子預(yù)先公布了第五代R-Car SoC
  • 瑞薩電子預(yù)先公布了第五代R-Car SoC的相關(guān)信息,該SoC面向高性能應(yīng)用,采用先進的Chiplet小芯片封裝集成技術(shù),將為車輛工程師在設(shè)計時帶來更大的靈活度。舉例來說,若高級駕駛輔助系統(tǒng)(ADAS)需要兼顧更突出的AI性能時,工程師可將AI加速器集成至單個芯片中。
    2023-12-12 21620次
  • 半導(dǎo)體加工技術(shù)的歷史、趨勢和演變
  • 半導(dǎo)體技術(shù)工藝節(jié)點是衡量芯片晶體管和其他組件尺寸的標準。這些年來,節(jié)點的數(shù)量一直在穩(wěn)步增加,導(dǎo)致計算能力也相應(yīng)增加。一般來說,工藝節(jié)點越小,特征尺寸越小,晶體管越小,速度越快,越節(jié)能。
    2023-08-03 727次
  • 尼得科(NIDEC)與瑞薩電子合作開發(fā)新一代電動汽車用電驅(qū)系統(tǒng)E-Axle的半導(dǎo)體解決方案
  • 尼得科株式會社(以下簡稱“尼得科”)瑞薩電子株式會社(以下簡稱“瑞薩電子”)已達成共識,將合作開發(fā)應(yīng)用于新一代E-Axle(X-in-1系統(tǒng))的半導(dǎo)體解決方案,該新一代E-Axle系統(tǒng)集成了電動汽車(EV)的驅(qū)動電機和功率電子器件。
    2023-06-09 613次
  • 瑞薩電子完成Panthronics收購
  • 瑞薩電子宣布針對專注于高性能無線產(chǎn)品的無晶圓廠半導(dǎo)體公司Panthronics AG(以下“Panthronics”)的收購,在獲得必要的監(jiān)管批準后,于日本標準時間2023年6月2日、中歐夏令時2023年6月1日成功完成。瑞薩電子同時宣布了13項“成功產(chǎn)品組合”解決方案設(shè)計,將瑞薩電子的產(chǎn)品與Panthronics獨特的近場通信(NFC)技術(shù)相結(jié)合,展示了瑞薩電子產(chǎn)品陣容的持續(xù)擴展,特別在連接領(lǐng)域。
    2023-06-09 602次

    萬聯(lián)芯微信公眾號

    元器件現(xiàn)貨+BOM配單+PCBA制造平臺
    關(guān)注公眾號,優(yōu)惠活動早知道!
    10s
    溫馨提示:
    訂單商品問題請移至我的售后服務(wù)提交售后申請,其他需投訴問題可移至我的投訴提交,我們將在第一時間給您答復(fù)
    返回頂部