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瑞薩電子RH850系列32位汽車MCU
2022-11-02 7318次

  瑞薩電子RH850系列32位汽車MCU采用瑞薩40nm工藝生產(chǎn),可提供單核、多核、鎖步和混合模式的處理器內(nèi)核架構(gòu),以支持汽車應(yīng)用的高性能、低功耗和高可靠性要求。


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  RH850系列MCU具有如下功能特性:

  1. 可擴(kuò)展的 CPU 內(nèi)核、內(nèi)存和外設(shè),可重復(fù)使用軟件資源。集成外設(shè)功能 IP 和可擴(kuò)展性;基本IP的通用規(guī)范(串口、計數(shù)器等)已經(jīng)在現(xiàn)有規(guī)范的基礎(chǔ)上進(jìn)行了細(xì)化,未來將繼續(xù)保持兼容性;差異化IP(發(fā)動機(jī)控制、電機(jī)控制定時器等)的規(guī)格進(jìn)一步優(yōu)化以幫助提高客戶產(chǎn)品的競爭力;支持PWM、LVD、CAN、LIN和FlexRay等。

  2. 高性能CPU內(nèi)核可大大提高頻繁使用的中斷處理的響應(yīng)性能。多個寄存器的批量保存/恢復(fù);立即停止當(dāng)前正在運(yùn)行的程序;立即從中斷處理中恢復(fù);分支預(yù)測機(jī)制;使用學(xué)習(xí)函數(shù)預(yù)測程序的流程;高速閃存訪問;瞬間讀取并運(yùn)行下一個程序。

  3. 低功耗特性有助于降低汽車的整體功耗。降低運(yùn)行功率;使用 40 納米工藝可實現(xiàn)更精細(xì)的電路并降低運(yùn)行功耗;降低泄漏功率;使用低泄漏晶體管降低泄漏功率;降低待機(jī)功耗;切斷待機(jī)期間空閑電路的電源,以進(jìn)一步降低功耗。

  4. 使用多核技術(shù)實現(xiàn)低功耗和高性能??梢越M合執(zhí)行功能安全、高速計算和輸入/輸出處理的內(nèi)核,以實現(xiàn)高性能內(nèi)核配置。

  5. 支持符合 ISO26262 標(biāo)準(zhǔn)的功能安全性,如下圖:

  RH850系列軟件和工具

  瑞薩電子及其合作伙伴提供各種軟件和開發(fā)工具,為汽車市場的大規(guī)模復(fù)雜軟件開發(fā)提供支持。

 

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