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ROHM羅姆的SiC MOSFET和SiC SBD應(yīng)用于Apex Microtechnology的工業(yè)設(shè)備功率模塊系列
2023-09-06 592次

  ROHM羅姆的SiC MOSFET和SiC肖特基勢(shì)壘二極管(以下簡(jiǎn)稱“SiC SBD”)已被成功應(yīng)用于大功率模擬模塊制造商Apex Microtechnology的功率模塊系列產(chǎn)品。該電源模塊系列包括驅(qū)動(dòng)器模塊“SA310”(非常適用于高耐壓三相直流電機(jī)驅(qū)動(dòng))和半橋模塊“SA110”、“SA111”(非常適用于眾多高電壓應(yīng)用)兩種產(chǎn)品。

  

 

  ROHM的1,200V SiC MOSFET“S4101”和650V SiC SBD“S6203”是以裸芯片的形式提供的,采用ROHM的這些產(chǎn)品將有助于應(yīng)用的小型化并提高模塊的性能和可靠性。另外,Apex Microtechnology的功率模塊系列還采用了ROHM的柵極驅(qū)動(dòng)器IC“BM60212FV-C”裸芯片,這使得高耐壓電機(jī)和電源的工作效率更高。此外,根據(jù)Apex Microtechnology委托外部機(jī)構(gòu)進(jìn)行的一項(xiàng)調(diào)查,與分立元器件組成的結(jié)構(gòu)相比,使用裸芯片構(gòu)建這些關(guān)鍵部件可減少67%的安裝面積。

  Greg Brennan, President, Apex Microtechnology表示:

  “Apex Microtechnology主要以大功率、高精度模擬、混合信號(hào)*解決方案為業(yè)務(wù)組合,我們的模塊還適用于醫(yī)療設(shè)備、航空航天和人造衛(wèi)星等要求苛刻的應(yīng)用。由于要為各種應(yīng)用產(chǎn)品提供電力,所以我們的目標(biāo)是設(shè)計(jì)出符合嚴(yán)格標(biāo)準(zhǔn)的產(chǎn)品,并與具有高技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)和高品質(zhì)要求的供應(yīng)商合作。在這過(guò)程中,ROHM作為Apex Microtechnology的SiC功率元器件供應(yīng)商脫穎而出。ROHM的服務(wù)和技術(shù)支持都非常出色,使得我們能夠如期將產(chǎn)品交付給最終用戶。未來(lái),Apex Microtechnology將會(huì)繼續(xù)開(kāi)發(fā)模擬和混合信號(hào)創(chuàng)新型解決方案,助力解決各種社會(huì)課題。另外,我們也很期待與ROHM展開(kāi)更深入的合作?!?/span>

  Jay Barrus, President, ROHM Semiconductor U.S.A.,LLC表示:

  “APEX Microtechnology是一家為工業(yè)、測(cè)試和測(cè)量等眾多應(yīng)用領(lǐng)域提供大功率模擬模塊的制造商,很高興能與APEX Microtechnology開(kāi)展合作。ROHM作為SiC功率元器件的先進(jìn)企業(yè),能夠提供與柵極驅(qū)動(dòng)器IC相結(jié)合的功率系統(tǒng)解決方案,并且已經(jīng)在該領(lǐng)域取得了巨大的技術(shù)領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)。我們將與APEX Microtechnology協(xié)力,通過(guò)更大程度地發(fā)揮ROHM在功率電子技術(shù)和模擬技術(shù)方面的潛力,為提高大功率應(yīng)用的效率做出貢獻(xiàn)?!?/span>

  據(jù)悉,電源和電機(jī)占全世界用電量的一大半,為實(shí)現(xiàn)無(wú)碳社會(huì),如何提高它們的效率已成為全球性的社會(huì)問(wèn)題。而功率元器件是提高它們效率的關(guān)鍵,SiC和GaN等新材料在進(jìn)一步提升各種電源效率方面被寄予厚望。ROHM和Apex Microtechnology在功率電子和模擬技術(shù)領(lǐng)域都擁有強(qiáng)大的優(yōu)勢(shì),雙方保持著技術(shù)交流并建立了合作關(guān)系。今后,通過(guò)將ROHM的SiC功率元器件和控制技術(shù)與Apex Microtechnology的模塊技術(shù)完美結(jié)合,雙方將能夠提供滿足市場(chǎng)需求的出色的功率系統(tǒng)解決方案,從而持續(xù)為工業(yè)設(shè)備的效率提升做出貢獻(xiàn)。

 

  • ROHM羅姆半導(dǎo)體采用SOT-223-3小型封裝的600V耐壓Super Junction MOSFET
  • ROHM羅姆半導(dǎo)體開(kāi)發(fā)出采用SOT-223-3小型封裝(6.50mm×7.00mm×1.66mm)的600V耐壓Super Junction MOSFET*1,新產(chǎn)品非常適用于照明用小型電源、電泵和電機(jī)等應(yīng)用。
    2023-12-12 1363次
  • ROHM羅姆的SiC MOSFET和SiC SBD應(yīng)用于Apex Microtechnology的工業(yè)設(shè)備功率模塊系列
  • ROHM羅姆的SiC MOSFET和SiC肖特基勢(shì)壘二極管(以下簡(jiǎn)稱“SiC SBD”)已被成功應(yīng)用于大功率模擬模塊制造商Apex Microtechnology的功率模塊系列產(chǎn)品。該電源模塊系列包括驅(qū)動(dòng)器模塊“SA310”(非常適用于高耐壓三相直流電機(jī)驅(qū)動(dòng))和半橋模塊“SA110”、“SA111”(非常適用于眾多高電壓應(yīng)用)兩種產(chǎn)品。
    2023-09-06 593次

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