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IMCQ120R078M2H

現(xiàn)貨，推薦

CoolSiC ? MOSFET 分立器件 1200 V、78 mΩ G2 采用頂部冷卻 Q-DPAK 封裝，專為廣泛用于工業(yè)應(yīng)用而設(shè)計(jì)。Q-DPAK封裝解決方案為客戶提供了出色的熱性能、更簡(jiǎn)便的組裝和更低的系統(tǒng)成本。頂部冷卻的 Q-DPAK 單開關(guān)開創(chuàng)了冷卻、能源效率、設(shè)計(jì)靈活性和性能的新時(shí)代。

Infineon英飛凌 IMCQ120R078M2H 產(chǎn)品介紹
2026-04-14 3次

產(chǎn)品詳情


  • 出色的熱性能
  • 提高能源效率
  • 更高的功率密度
  • 更緊湊、更簡(jiǎn)單的設(shè)計(jì)
  • 降低 TCO 成本或 BOM 成本

特性


  • VDSS?= 1200 V @Tvj?= 25°C
  • IDDC?= 22 A @TC?= 100°C
  • RDS(on) = 78.1 mΩ @VGS = 18 V, Tvj = 25°C
  • 極低的開關(guān)損耗
  • 過載運(yùn)行最高可達(dá) Tvj?= 200°C
  • 短路耐受時(shí)間 2 μs
  • 基準(zhǔn)柵極閾值電壓
  • 具有抗寄生開啟能力
  • 堅(jiān)固的體二極管，適用于硬換向
  • .XT互連技術(shù)

應(yīng)用


電動(dòng)汽車充電, Solid-state circuit breaker (SSCB), 低壓驅(qū)動(dòng), 光伏, 不間斷電源 (UPS)

參數(shù)


類型

描述

Ciss

880 pF

Coss

28 pF

最高 ID (@25°C)

31 A

最高 Ptot (@ TA=25°C)

176 W

Qgd

4.5 nC

QG

23.2 nC

RDS (on) (@ Tj = 25°C)

78.1 m?

最高 RthJA

67 K/W

最高 RthJC

0.85 K/W

最高 Tj

200 °C

最高 VDS

1200 V

安裝

SMD

封裝

PG-HDSOP-22

工作溫度 范圍

-55 °C 至 175 °C

引腳數(shù)量

22 Pins

技術(shù)

CoolSiC? G2

極性

N

認(rèn)證標(biāo)準(zhǔn)

Industrial

  • Infineon英飛凌 IMW65R010M2H 產(chǎn)品介紹
    • 采用 TO-247-3 封裝的 CoolSiC ? MOSFET 650 V、10 mΩ G2 以第一代技術(shù)的優(yōu)勢(shì)為基礎(chǔ)，能夠加速系統(tǒng)設(shè)計(jì)，從而實(shí)現(xiàn)成本更優(yōu)化、更高效、更緊湊、更可靠的解決方案。第二代在硬開關(guān)操作和軟開關(guān)拓?fù)涞年P(guān)鍵品質(zhì)因數(shù)方面都有顯著改進(jìn)，適用于所有常見的 AC-DC、DC-DC 和 DC-AC 級(jí)組合。
    2026-04-14 3次
  • Infineon英飛凌 AIMBG75R050M2H 產(chǎn)品介紹
    • CoolSiC? MOSFET 750 V 利用了英飛凌 20 多年的 SiC 經(jīng)驗(yàn)。它在性能、可靠性和穩(wěn)健性方面具有優(yōu)勢(shì)，具有柵極驅(qū)動(dòng)靈活性，可實(shí)現(xiàn)簡(jiǎn)化且高效的系統(tǒng)設(shè)計(jì)，從而實(shí)現(xiàn)最高效率和功率密度。 創(chuàng)新的頂部冷卻封裝進(jìn)一步增強(qiáng)了CoolSiC? 750 V 的優(yōu)勢(shì)，提供了更高的密度、優(yōu)化的功率回路設(shè)計(jì)以及更少的系統(tǒng)和組裝成本。
    2026-04-14 2次
  • Infineon英飛凌 BAT15-02ELS 產(chǎn)品介紹
    • 這款英飛凌射頻肖特基二極管是一款硅低勢(shì)壘 N 型器件，片上集成有保護(hù)環(huán)，用于過壓保護(hù)。其低勢(shì)壘高度、低正向電壓和低結(jié)電容使 BAT15-02ELS 成為頻率高達(dá) 12 GHz 的應(yīng)用中混頻器和檢測(cè)器功能的合適選擇。
    2026-04-14 2次
  • Infineon英飛凌 IMW120R060M1H 產(chǎn)品介紹
    • CoolSiC ? MOSFET 分立器件 1200 V、60 mΩ G1 采用 TO247-3 封裝，基于最先進(jìn)的溝槽半導(dǎo)體工藝構(gòu)建，經(jīng)過優(yōu)化，兼具性能和可靠性。這些包括 SiC 開關(guān)中看到的最低柵極電荷和器件電容水平、反并聯(lián)二極管無反向恢復(fù)損耗、與溫度無關(guān)的低開關(guān)損耗和無閾值導(dǎo)通特性。
    2026-04-14 2次
  • Infineon英飛凌 IMCQ120R078M2H 產(chǎn)品介紹
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    2026-04-14 3次
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