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IMW120R060M1H

在產(chǎn)

CoolSiC ? MOSFET 分立器件 1200 V、60 mΩ G1 采用 TO247-3 封裝，基于最先進的溝槽半導(dǎo)體工藝構(gòu)建，經(jīng)過優(yōu)化，兼具性能和可靠性。這些包括 SiC 開關(guān)中看到的最低柵極電荷和器件電容水平、反并聯(lián)二極管無反向恢復(fù)損耗、與溫度無關(guān)的低開關(guān)損耗和無閾值導(dǎo)通特性。

Infineon英飛凌 IMW120R060M1H 產(chǎn)品介紹
2026-04-14 2次

特性


  • 同類最佳的開關(guān)損耗
  • 同類最佳的傳導(dǎo)損耗
  • 基準高閾值電壓
  • Vth > 4 V
  • 0V 關(guān)斷柵極電壓，方便
  • 簡單的柵極驅(qū)動
  • 寬柵極 - 源極電壓范圍
  • 堅固耐用且低損耗的體二極管
  • 適用于硬換向
  • 溫度。印第安納州關(guān)斷開關(guān)損耗

應(yīng)用


電動汽車充電, DIN 導(dǎo)軌電源解決方案, 光伏, 單相串聯(lián)逆變器解決方案, 中央逆變器解決方案, 馬達控制, 不間斷電源 (UPS)

參數(shù)


類型

描述

Ciss

1060 pF

Coss

58 pF

最高 ID (@25°C)

36 A

最高 Ptot (@25°C)

150 W

Qgd

7 nC

QG (typ @18V)

31 nC

RDS (on) (@18V)

60 m?

RDS (on) (@ Tj = 25°C)

60 m?

最高 RthJA

62 K/W

最高 RthJC

1 K/W

最高 Tj

175 °C

最高 VDS

1200 V

安裝

THT

封裝

TO-247-3

工作溫度 范圍

-55 °C 至 175 °C

引腳數(shù)量

3 Pins

技術(shù)

CoolSiC? G1

極性

N

認證標準

Industrial

  • Infineon英飛凌 IMW65R010M2H 產(chǎn)品介紹
    • 采用 TO-247-3 封裝的 CoolSiC ? MOSFET 650 V、10 mΩ G2 以第一代技術(shù)的優(yōu)勢為基礎(chǔ)，能夠加速系統(tǒng)設(shè)計，從而實現(xiàn)成本更優(yōu)化、更高效、更緊湊、更可靠的解決方案。第二代在硬開關(guān)操作和軟開關(guān)拓撲的關(guān)鍵品質(zhì)因數(shù)方面都有顯著改進，適用于所有常見的 AC-DC、DC-DC 和 DC-AC 級組合。
    2026-04-14 3次
  • Infineon英飛凌 AIMBG75R050M2H 產(chǎn)品介紹
    • CoolSiC? MOSFET 750 V 利用了英飛凌 20 多年的 SiC 經(jīng)驗。它在性能、可靠性和穩(wěn)健性方面具有優(yōu)勢，具有柵極驅(qū)動靈活性，可實現(xiàn)簡化且高效的系統(tǒng)設(shè)計，從而實現(xiàn)最高效率和功率密度。 創(chuàng)新的頂部冷卻封裝進一步增強了CoolSiC? 750 V 的優(yōu)勢，提供了更高的密度、優(yōu)化的功率回路設(shè)計以及更少的系統(tǒng)和組裝成本。
    2026-04-14 2次
  • Infineon英飛凌 BAT15-02ELS 產(chǎn)品介紹
    • 這款英飛凌射頻肖特基二極管是一款硅低勢壘 N 型器件，片上集成有保護環(huán)，用于過壓保護。其低勢壘高度、低正向電壓和低結(jié)電容使 BAT15-02ELS 成為頻率高達 12 GHz 的應(yīng)用中混頻器和檢測器功能的合適選擇。
    2026-04-14 2次
  • Infineon英飛凌 IMW120R060M1H 產(chǎn)品介紹
    • CoolSiC ? MOSFET 分立器件 1200 V、60 mΩ G1 采用 TO247-3 封裝，基于最先進的溝槽半導(dǎo)體工藝構(gòu)建，經(jīng)過優(yōu)化，兼具性能和可靠性。這些包括 SiC 開關(guān)中看到的最低柵極電荷和器件電容水平、反并聯(lián)二極管無反向恢復(fù)損耗、與溫度無關(guān)的低開關(guān)損耗和無閾值導(dǎo)通特性。
    2026-04-14 2次
  • Infineon英飛凌 IMCQ120R078M2H 產(chǎn)品介紹
    • CoolSiC ? MOSFET 分立器件 1200 V、78 mΩ G2 采用頂部冷卻 Q-DPAK 封裝，專為廣泛用于工業(yè)應(yīng)用而設(shè)計。Q-DPAK封裝解決方案為客戶提供了出色的熱性能、更簡便的組裝和更低的系統(tǒng)成本。頂部冷卻的 Q-DPAK 單開關(guān)開創(chuàng)了冷卻、能源效率、設(shè)計靈活性和性能的新時代。
    2026-04-14 3次
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