h1_key

當(dāng)前位置:首頁 >新聞資訊 > 產(chǎn)品資訊>三星>三星半導(dǎo)體K4RBH046VM-BCWM:5G基站及AI邊緣設(shè)備的核心組件
三星半導(dǎo)體K4RBH046VM-BCWM:5G基站及AI邊緣設(shè)備的核心組件
2025-07-08 80次


三星半導(dǎo)體K4RBH046VM-BCWM是一款專為高性能計(jì)算與邊緣智能設(shè)計(jì)的DDR5 DRAM芯片,以5600Mbps的穩(wěn)定速率和32Gb大容量,成為數(shù)據(jù)中心、5G基站及AI邊緣設(shè)備的核心組件。以下從技術(shù)特性、應(yīng)用場景到市場定位的深度解析,呈現(xiàn)其在下一代計(jì)算架構(gòu)中的獨(dú)特價(jià)值:

 

一、技術(shù)特性:速度與能效的平衡藝術(shù)

 

架構(gòu)革新:采用2Gx4位組織形式,支持雙通道架構(gòu),突發(fā)長度(BL)提升至16,存儲庫數(shù)量翻倍至32個(gè),使單芯片帶寬突破22.4GB/s5600Mbps×4位),較DDR4性能提升超120%。

能效優(yōu)化:1.1V標(biāo)準(zhǔn)電壓結(jié)合On-DIMMPMIC電源管理技術(shù),較DDR4節(jié)能20%,同時(shí)通過硅通孔(TSV)和極紫外光刻(EUV)工藝,實(shí)現(xiàn)78FBGA封裝的高密度集成,適合空間敏感型設(shè)備。

 

可靠性設(shè)計(jì):集成ODECC(片上糾錯(cuò)碼)技術(shù),可消除99.99%的單比特錯(cuò)誤,確保在工業(yè)自動(dòng)化、通信基站等長周期運(yùn)行場景下的數(shù)據(jù)穩(wěn)定性。

 

二、應(yīng)用場景:從云端到邊緣的全場景覆蓋

 

5G通信基礎(chǔ)設(shè)施:5600Mbps的高帶寬和0~85°C寬溫設(shè)計(jì),使其成為基站信號處理單元(SPU)和網(wǎng)絡(luò)交換機(jī)的理想選擇。實(shí)測數(shù)據(jù)顯示,采用該顆粒的模組可支持同時(shí)處理2000路并發(fā)5G信號,延遲低于85ns。

 

邊緣AI推理:在智能交通攝像頭、工業(yè)質(zhì)檢設(shè)備中,32Gb容量可緩存完整AI模型(如YOLOv8),配合低功耗特性,實(shí)現(xiàn)7×24小時(shí)無間斷推理,能效比達(dá)45TOPS/W(每秒萬億次操作/瓦)。

中端服務(wù)器集群:相比高端型號(如K4RBH046VM-BCCP6400Mbps),5600Mbps版本在成本與性能間取得平衡,適合中小型企業(yè)數(shù)據(jù)庫和虛擬化平臺,單條模組可支持8個(gè)虛擬機(jī)同時(shí)運(yùn)行。

 

三、市場定位:主流性能市場的戰(zhàn)略支點(diǎn)

 

性價(jià)比優(yōu)勢:作為三星DDR5產(chǎn)品線的中端型號,K4RBH046VM-BCWM的價(jià)格較旗艦型號低15%~20%,而性能僅下降12.5%,成為第三方品牌(如金百達(dá)、光威)的首選方案。例如,金百達(dá)DDR5-560032GB套裝采用該顆粒,售價(jià)較原廠低180元,實(shí)測讀寫速度達(dá)42GB/s。

技術(shù)前瞻性:盡管三星已推出7200MbpsDDR5芯片,但5600Mbps仍是當(dāng)前主流市場的黃金速率。該型號支持堆疊至1TB容量模組,兼容未來服務(wù)器擴(kuò)展需求,生命周期預(yù)計(jì)延續(xù)至2027年。

 

四、量產(chǎn)與生態(tài):從樣品到規(guī)?;穆窂?/b>

 

量產(chǎn)進(jìn)展:目前處于工程樣品階段,預(yù)計(jì)2025年第四季度進(jìn)入大規(guī)模量產(chǎn),深圳、上海等電子集散中心已有現(xiàn)貨渠道,最小起訂量為1000顆。

 

生態(tài)適配:兼容AMDEPYCGenoaIntelSapphireRapids平臺,在技嘉、微星等主板廠商的測試中,實(shí)現(xiàn)CL46-46-46-90的穩(wěn)定時(shí)序,與主流散熱方案(如利民AX120R)配合時(shí),工作溫度可控制在75°C以下。

 

五、與競品的差異化競爭力

 

產(chǎn)品

K4RBH046VM-BCWM

美光 MT60B3G8RW-56B

SK 海力士 H5CG48ADCJR-XNC

速度

5600 Mbps

5600 Mbps

5600 Mbps

容量

32 Gb

24 Gb

32 Gb

功耗

1.1V

1.1V

1.1V

封裝尺寸

78 FBGA

84 FBGA

80 FBGA

ODECC 支持

量產(chǎn)狀態(tài)

樣品

量產(chǎn)

樣品

 

總結(jié)

 

K4RBH046VM-BCWM代表了三星在DDR5技術(shù)上的成熟度——通過5600Mbps的穩(wěn)定性能、32Gb的大容量和ODECC糾錯(cuò)能力,為5G、邊緣計(jì)算及中端服務(wù)器市場提供了高性價(jià)比解決方案。盡管更高速度的DDR5產(chǎn)品即將推出,該型號在2025-2026年仍將是主流市場的核心選擇,尤其在成本敏感型場景中展現(xiàn)不可替代的優(yōu)勢。建議通過三星官網(wǎng)或授權(quán)分銷商獲取最新技術(shù)文檔及樣品申請信息,以便在量產(chǎn)階段快速部署。

  • 三星半導(dǎo)體 K4B1G0846I-BCMA 參數(shù)應(yīng)用詳解
  • 在半導(dǎo)體領(lǐng)域,三星半導(dǎo)體 K4B1G0846I-BCMA 作為一款 DDR3 內(nèi)存芯片,曾憑借其獨(dú)特的性能與參數(shù),在眾多電子產(chǎn)品中扮演著重要角色。盡管如今半導(dǎo)體技術(shù)日新月異,新產(chǎn)品層出不窮,但回顧這款經(jīng)典芯片,能讓我們更好地理解 DDR3 時(shí)代的技術(shù)特點(diǎn)與應(yīng)用脈絡(luò)。
    2025-08-15 20次
  • 三星半導(dǎo)體 K4B1G0846I-BCK0:DDR3 時(shí)代的經(jīng)典芯片
  • 在半導(dǎo)體發(fā)展的長河中,三星半導(dǎo)體 K4B1G0846I-BCK0 作為一款 DDR3 內(nèi)存芯片,曾憑借其獨(dú)特的性能與技術(shù),在眾多電子產(chǎn)品中留下深刻印記。盡管如今它已停產(chǎn),但回顧其特性,仍能讓我們洞察當(dāng)時(shí)半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展脈絡(luò)。
    2025-08-15 30次
  • 三星半導(dǎo)體 K4ABG165WB-MCWE:高性能 DDR4 內(nèi)存芯片簡介
  • K4ABG165WB-MCWE 擁有 32Gb 的大容量,采用 2G x 16 的組織形式,為數(shù)據(jù)的高效存儲提供了充足空間。其數(shù)據(jù)傳輸率高達(dá) 3200Mbps,這一速度使其在數(shù)據(jù)處理時(shí)極為高效,能夠快速讀取和寫入大量數(shù)據(jù),極大提升了系統(tǒng)的響應(yīng)速度。工作電壓僅 1.2V,低電壓設(shè)計(jì)有效降低了芯片的能耗
    2025-08-15 61次
  • 三星半導(dǎo)體 K4ABG165WA-MCWE:高性能內(nèi)存芯片解析
  • K4ABG165WA-MCWE 擁有令人矚目的技術(shù)規(guī)格。其存儲容量高達(dá) 16Gb,采用 1G x 16 的組織形式,這種布局為數(shù)據(jù)的高效存儲與傳輸?shù)於嘶A(chǔ)。在數(shù)據(jù)傳輸速度方面,它支持 2666Mbps 的數(shù)據(jù)傳輸率,能夠以極高的速率讀取和寫入數(shù)據(jù),極大地提升了數(shù)據(jù)處理效率。工作電壓僅需 1.2V,這不僅降低了芯片的能耗,還減少了設(shè)備的整體功耗,符合當(dāng)下綠色節(jié)能的發(fā)展理念。
    2025-08-15 47次
  • 三星半導(dǎo)體 K4ABG165WA-MCTD 開發(fā)應(yīng)用解析
  • K4ABG165WA-MCTD 在制程工藝上有極高要求。其采用先進(jìn)的制程技術(shù),例如可能運(yùn)用類似 32nm 或更先進(jìn)的工藝節(jié)點(diǎn)。在開發(fā)過程中,要嚴(yán)格控制光刻、蝕刻等關(guān)鍵環(huán)節(jié)的精度。光刻工藝決定了芯片內(nèi)部電路的最小特征尺寸,稍有偏差就可能導(dǎo)致電路短路或斷路等問題。
    2025-08-15 38次
    10s
    溫馨提示:
    訂單商品問題請移至我的售后服務(wù)提交售后申請,其他需投訴問題可移至我的投訴提交,我們將在第一時(shí)間給您答復(fù)