h1_key

當前位置:首頁 >新聞資訊 > 產品資訊>三星>三星半導體 KHA883901B-MC12:HBM2 Flarebolt 技術的性能標桿與場景落地
三星半導體 KHA883901B-MC12:HBM2 Flarebolt 技術的性能標桿與場景落地
2025-08-04 266次


一、技術定位與產品架構

 

三星半導體 KHA883901B-MC12 HBM2 Flarebolt 系列的核心產品,專為高性能計算(HPC)、圖形渲染和邊緣 AI 推理設計。作為 HBM2 技術的代表性方案,其通過 3D 堆疊架構實現(xiàn) 8GB 存儲容量和 256GB/s 帶寬,較傳統(tǒng) GDDR6 內存帶寬提升近 5 倍,功耗降低 30% 以上。該產品采用1024 位寬接口和 2.0Gbps 傳輸速率,配合 MPGAMicro-Package Grid Array)封裝技術,在 36mm2 的基板上集成 4 DRAM 芯片,通過硅通孔(TSV)和微凸塊實現(xiàn)層間高速互連,信號傳輸路徑縮短至毫米級,顯著降低延遲并提升散熱效率。

 

二、核心技術參數(shù)與創(chuàng)新設計

 

性能參數(shù)與能效優(yōu)化

 

帶寬與容量:8GB 容量和 256GB/s 帶寬的組合,可同時處理 20 4K 視頻流或支持千億參數(shù)大模型的實時推理。其帶寬密度達到 7.1GB/s/mm2,是傳統(tǒng) GDDR6 12 倍。

制程工藝:基于 1y(約 14nm)級 DRAM 制程,通過 FinFET 結構優(yōu)化,芯片密度提升 15%,單位容量成本降低 12%。工作電壓為 1.2V,在高負載場景下能效比優(yōu)于 GDDR6X 方案。

延遲控制:CAS 延遲(CL)優(yōu)化至 14-16 周期,在 AI 推理任務中數(shù)據(jù)響應速度較前代提升 12%,尤其適合對實時性要求嚴苛的邊緣計算場景。

 

封裝與可靠性設計

 

采用TSV + 微凸塊雙重互連技術,單芯片集成超過 2,048 個微凸塊,實現(xiàn)芯片間數(shù)據(jù)傳輸速率達 2.0Gbps。通過內置溫度傳感器和自適應功耗管理(APM)技術,可根據(jù)負載動態(tài)調整電壓,在移動端場景下能效比提升 18%。

 

支持 JEDEC JESD235B 標準,兼容英偉達 A100AMD MI100 等主流 GPU,以及賽靈思 Versal AI Core FPGA。通過 ECC 糾錯機制和冗余設計,確保在 - 40°C 95°C 寬溫域下數(shù)據(jù)完整性,滿足工業(yè)控制和車載計算需求。

 

三、應用場景與行業(yè)實踐

 

AI 推理與邊緣計算

 

KHA883901B-MC12 的高帶寬特性顯著提升邊緣設備的實時處理能力。例如,與瑞薩 R-Car V4H 車載芯片結合時,可同時處理 8 1080P 攝像頭數(shù)據(jù),延遲低于 50ms,功耗較 GDDR6 方案降低 40%,成為自動駕駛域控制器的優(yōu)選存儲方案。在阿里巴巴邊緣推理設備中,其 256GB/s 帶寬可支持 200MP 主攝的實時 HDR 合成,處理速度較傳統(tǒng) LPDDR5X 方案提升 3 倍。

 

圖形渲染與高端計算

 

AMD Radeon Instinct MI100 加速器中,KHA883901B-MC12 通過 1024 位寬接口實現(xiàn) 1.2TB/s 的顯存帶寬,較 GDDR5X 方案提升 4 倍,顯著加速光線追蹤和 3D 建模效率。其低功耗特性也使其成為移動工作站的理想選擇 —— 英特爾移動 PC 采用該方案后,圖形處理性能提升 60%,續(xù)航延長 2 小時。

 

數(shù)據(jù)中心與網(wǎng)絡設備

 

在浪潮 AI 服務器中,KHA883901B-MC12 與英偉達 A100 GPU 協(xié)同工作,可將數(shù)據(jù)庫查詢延遲從毫秒級壓縮至微秒級,支持每秒百萬次并發(fā)訪問。其與 Rambus 合作開發(fā)的兼容內存控制器,已應用于 5G 核心網(wǎng)設備,實現(xiàn)網(wǎng)絡數(shù)據(jù)包處理速度提升 3 倍。

 

四、市場競爭與生態(tài)布局

 

行業(yè)地位與技術對標

 

三星 HBM2 Flarebolt 系列在全球 HBM 市場占據(jù)約 40% 份額,與 SK 海力士的 HBM2E 產品形成直接競爭。KHA883901B-MC12 256GB/s 帶寬雖略低于 SK 海力士 HBM2E 307GB/s,但憑借 15% 的成本優(yōu)勢和更高的兼容性,在 ODM 客戶中更具吸引力。例如,在阿里云服務器集群中,該產品的采購成本較競品低 12%,同時滿足 99.999% 的可靠性要求。

 

生態(tài)合作與場景拓展

 

三星通過HBM-PIM(存內計算)技術擴展產品應用邊界。與 SiPearl 合作開發(fā)的 Rhea 處理器中,KHA883901B-MC12 AI 處理單元集成至內存芯片,實現(xiàn)卷積神經網(wǎng)絡(CNN)推理性能提升 2.5 倍,能效比優(yōu)化 60%。此外,該產品已進入華為昇騰生態(tài),為 Atlas 500 推理卡提供定制化存儲方案,在中國邊緣計算市場的份額從 2024 年的 18% 提升至 2025 年的 27%。

 

五、行業(yè)影響與未來演進

 

技術路徑的延續(xù)與突破

 

KHA883901B-MC12 驗證了三星在 HBM2 技術上的成熟度,其 TSV 密度、功耗控制和兼容性設計為后續(xù) HBM3 研發(fā)奠定基礎。目前,三星正將該產品作為 HBM-PIM 技術的試驗平臺,計劃在 2025 年推出集成 AI 加速器的 HBM2E-PIM 產品,進一步推動 “內存即計算” 的架構革新。

 

市場需求的驅動與挑戰(zhàn)

 

隨著 AI 算力需求激增,HBM 市場預計 2025 年規(guī)模將突破 200 億美元。

 

KHA883901B-MC12 憑借高性價比和成熟生態(tài),在邊緣計算、工業(yè)控制等場景持續(xù)滲透。然而,SK 海力士憑借 HBM3E 的先發(fā)優(yōu)勢,在高端 AI 服務器市場占據(jù) 70% 份額,三星需通過技術下沉和本地化生產(如西安工廠量產)鞏固中端市場地位。

 

行業(yè)標準的推動與適配

 

該產品支持 JEDEC JESD235B 標準,與 PCIe 4.0 CXL 1.1 接口無縫兼容,已成為邊緣 AI 設備的事實標準。例如,在西門子工業(yè)自動化系統(tǒng)中,KHA883901B-MC12 Versal FPGA 協(xié)同實現(xiàn)毫秒級工業(yè)機器人運動控制,系統(tǒng)故障率降低 60%。這種 “存儲 - 計算” 協(xié)同設計,正在重塑工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)的技術架構。

 

總結:

 

三星半導體 KHA883901B-MC12 HBM2 Flarebolt 技術為核心,在帶寬、能效和可靠性上達到行業(yè)領先水平。其廣泛的應用場景和強大的生態(tài)兼容性,使其成為 AI 推理、圖形渲染和邊緣計算領域的關鍵使能技術。盡管面臨 SK 海力士 HBM3E 的競爭壓力,該產品通過技術迭代和本地化策略,持續(xù)鞏固三星在 HBM 市場的地位,并為下一代計算架構的革新提供重要支撐。在 AI 算力需求爆發(fā)的背景下,KHA883901B-MC12 的成功驗證了 HBM2 技術的長期生命力,也為行業(yè)提供了高性能存儲解決方案的落地范式。

 

  • 三星半導體K4A4G085WE-BIRC開發(fā)應用全解析
  • K4A4G085WE-BIRC憑借高穩(wěn)定性、寬環(huán)境適應性與靈活的開發(fā)適配性,為多領域嵌入式設備開發(fā)提供可靠內存解決方案。開發(fā)者通過精準匹配硬件設計、優(yōu)化軟件參數(shù),可充分發(fā)揮芯片性能,推動設備從開發(fā)階段高效落地應用。
    2025-08-28 476次
  • 三星半導體K4A4G085WE-BCTD開發(fā)指南
  • K4A4G085WE-BCTD擁有4GB大容量,采用512Mx8的組織形式,內部設置16個存儲Bank,這為數(shù)據(jù)的高效存儲和快速訪問奠定了基礎。其數(shù)據(jù)傳輸速率高達2666Mbps,配合同步操作模式,能極大縮短數(shù)據(jù)訪問延遲,適用于對數(shù)據(jù)處理速度要求嚴苛的應用場景。額定工作電壓為1.2V,工作電壓允許范圍在1.14V至1.26V之間,在保障穩(wěn)定運行的同時,實現(xiàn)了較好的能源利用效率。工作溫度范圍處于0°C至85°C,寬泛的溫度區(qū)間使其能適應多種工作環(huán)境。
    2025-08-28 138次
  • 三星半導體K4A4G085WE-BCRC參數(shù)特性詳析
  • 從內存容量來看,K4A4G085WE-BCRC擁有4GB的大容量。這一容量規(guī)格為設備運行提供了充足的空間,無論是日常辦公場景下多任務并行,如同時打開多個辦公軟件、瀏覽器多個頁面,還是運行大型專業(yè)軟件,如3D建模、視頻剪輯工具等,都能輕松應對,確保系統(tǒng)流暢運行,不會因內存不足而出現(xiàn)卡頓現(xiàn)象。
    2025-08-28 168次
  • 三星半導體 K4A4G085WE-BCPB:高性能 DDR4 內存芯片
  • K4A4G085WE-BCPB 具備出色的性能表現(xiàn)。從內存容量來看,它擁有 4GB 的大容量,能夠為設備提供充足的內存空間,滿足多任務處理以及大型應用程序運行的需求。無論是運行復雜的數(shù)據(jù)庫管理系統(tǒng),還是進行大規(guī)模的數(shù)據(jù)運算,這款芯片都能輕松應對。在速度方面,它的數(shù)據(jù)傳輸速率可達 2400Mbps,配合其同步操作模式,能夠極大地減少數(shù)據(jù)訪問的延遲,使系統(tǒng)能夠快速讀取和寫入數(shù)據(jù),顯著提升系統(tǒng)的整體運行速度。這種高速的數(shù)據(jù)傳輸能力,對于那些對實時性要求極高的應用場景,如實時數(shù)據(jù)分析、視頻編輯渲染等,具有至關重要的意義。
    2025-08-28 575次
  • 三星 K4A4G045WE-BCTD 選型指南:DDR4 SDRAM 的工業(yè)級適配方案
  • K4A4G045WE-BCTD 采用 8n-bit 預取架構,內部存儲單元以 8 倍于外部總線的速率讀取數(shù)據(jù),再通過雙倍數(shù)據(jù)速率(DDR)技術,在時鐘信號上升沿與下降沿分別傳輸數(shù)據(jù)。這一設計使外部數(shù)據(jù)速率達到內部速率的 2 倍,在不提升外部時鐘頻率的情況下實現(xiàn)性能突破,減少高速信號傳輸中的干擾風險,保障工業(yè)設備在復雜電磁環(huán)境下的穩(wěn)定運行。
    2025-08-27 249次

    萬聯(lián)芯微信公眾號

    元器件現(xiàn)貨+BOM配單+PCBA制造平臺
    關注公眾號,優(yōu)惠活動早知道!
    10s
    溫馨提示:
    訂單商品問題請移至我的售后服務提交售后申請,其他需投訴問題可移至我的投訴提交,我們將在第一時間給您答復
    返回頂部