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三星半導(dǎo)體 K4B4G0846D-BCK0 簡介
2025-08-11 37次


三星半導(dǎo)體的 K4B4G0846D-BCK0 是一款在內(nèi)存領(lǐng)域曾占據(jù)重要地位的 DDR3 SDRAM 芯片 ,在眾多電子產(chǎn)品中留下過足跡。

 

從容量及架構(gòu)來看,“4G” 代表其擁有 4Gb 的容量,按照 512M x 8 的架構(gòu)進(jìn)行組織。這種架構(gòu)使得芯片能夠在 8 位數(shù)據(jù)寬度的場景中良好適配,在一些對(duì)數(shù)據(jù)帶寬有特定要求,且以 8 位數(shù)據(jù)處理為主的系統(tǒng)里,它能高效發(fā)揮作用 。通過 8 個(gè) Bank 組的架構(gòu)設(shè)計(jì),K4B4G0846D-BCK0 可以支持并行訪問。當(dāng)系統(tǒng)需要同時(shí)處理多個(gè)數(shù)據(jù)任務(wù)時(shí),多個(gè) Bank 組能夠同時(shí)工作,極大提升了多任務(wù)處理的效率,讓設(shè)備在運(yùn)行多個(gè)程序或者處理復(fù)雜數(shù)據(jù)流程時(shí)更加流暢 。同時(shí),它采用 8-bit Prefetch 預(yù)取技術(shù),結(jié)合 DDR3 特有的雙沿采樣技術(shù),實(shí)現(xiàn)了 1600 Mbps 的數(shù)據(jù)速率,滿足了當(dāng)時(shí)諸多設(shè)備對(duì)于數(shù)據(jù)快速讀寫的需求 。

 

在電氣特性方面,K4B4G0846D-BCK0 工作在標(biāo)準(zhǔn)的 1.5V 電壓下,這個(gè)電壓值符合 JEDEC DDR3 標(biāo)準(zhǔn),使得它在兼容性上表現(xiàn)出色,能夠方便地被集成到各類遵循該標(biāo)準(zhǔn)設(shè)計(jì)的主板或電路系統(tǒng)中 。其速度等級(jí)為 DDR3-1600,意味著芯片的時(shí)鐘頻率達(dá)到 800MHz 。在功耗上,典型工作電流大約在一定數(shù)值范圍(需查詢?cè)敿?xì)手冊(cè)確定具體值),三星通過先進(jìn)的制造工藝,盡可能地優(yōu)化了芯片的功耗表現(xiàn),在保障性能的同時(shí),控制了能耗 。

 

該芯片采用 FBGA-78 封裝形式,尺寸約為 11.0mm×10.0mm,引腳間距 0.8mm 。這種表面貼裝的封裝方式,在 PCB 布局時(shí)需要特別注意信號(hào)完整性問題。由于引腳間距較小,布線設(shè)計(jì)需更加精細(xì),以避免信號(hào)之間的干擾,保證數(shù)據(jù)傳輸?shù)臏?zhǔn)確性和穩(wěn)定性 。在濕度敏感度方面,它達(dá)到了 MSL1 級(jí)別,這意味著芯片在無烘烤的情況下,存儲(chǔ)期限可以長達(dá)≥1 年,對(duì)于一些長期存儲(chǔ)芯片或者處于復(fù)雜生產(chǎn)環(huán)境中的應(yīng)用場景而言,具有較高的可靠性,不用擔(dān)心因濕度問題在存儲(chǔ)過程中對(duì)芯片造成損壞 。

 

K4B4G0846D-BCK0 廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子、工業(yè)控制以及嵌入式系統(tǒng)等多個(gè)領(lǐng)域 。在消費(fèi)電子方面,像機(jī)頂盒、智能電視、藍(lán)光播放器這類對(duì)成本較為敏感,同時(shí)又需要中等帶寬支持的設(shè)備中,它曾是不錯(cuò)的選擇。在機(jī)頂盒中,它助力系統(tǒng)流暢運(yùn)行,實(shí)現(xiàn)視頻解碼、網(wǎng)絡(luò)連接等功能;智能電視依靠它可以高效處理圖像數(shù)據(jù),提供清晰流暢的畫面顯示 。在工業(yè)控制領(lǐng)域,PLC(可編程邏輯控制器)、工業(yè) PC 以及部分醫(yī)療設(shè)備(如一些醫(yī)療影像設(shè)備的控制臺(tái))等,對(duì)芯片的可靠性和穩(wěn)定性有較高要求,K4B4G0846D-BCK0 可以在 0~85°C 的工作溫度范圍內(nèi)穩(wěn)定工作,滿足了工業(yè)環(huán)境中的常見溫度需求 。在嵌入式系統(tǒng)中,物聯(lián)網(wǎng)網(wǎng)關(guān)、邊緣計(jì)算設(shè)備等,因其小尺寸封裝的特點(diǎn),能夠很好地適配這些設(shè)備對(duì)空間緊湊的要求,并且在低功耗方面的表現(xiàn)也能滿足設(shè)備長時(shí)間運(yùn)行的需求 。

 

不過,需要注意的是,根據(jù)相關(guān)資料顯示,K4B4G0846D-BCK0 目前處于停產(chǎn)狀態(tài) 。這意味著在新項(xiàng)目的設(shè)計(jì)選型中,如果選擇該芯片,可能會(huì)面臨供應(yīng)鏈中斷、難以獲取穩(wěn)定貨源的風(fēng)險(xiǎn)。對(duì)于正在使用該芯片的舊系統(tǒng)維護(hù)而言,或許還能夠通過一些渠道獲取一定數(shù)量的芯片,但長期來看,尋找合適的替代方案是必然趨勢 。例如,如果項(xiàng)目需要更高的性能,可以考慮升級(jí)到速度更快的 DDR4 芯片;若對(duì)成本較為敏感,且仍需 DDR3 芯片,可以在市場上尋找其他品牌類似規(guī)格且仍在量產(chǎn)的芯片作為替代品 。

 

  • 三星半導(dǎo)體 K4B1G0846I-BCMA 參數(shù)應(yīng)用詳解
  • 在半導(dǎo)體領(lǐng)域,三星半導(dǎo)體 K4B1G0846I-BCMA 作為一款 DDR3 內(nèi)存芯片,曾憑借其獨(dú)特的性能與參數(shù),在眾多電子產(chǎn)品中扮演著重要角色。盡管如今半導(dǎo)體技術(shù)日新月異,新產(chǎn)品層出不窮,但回顧這款經(jīng)典芯片,能讓我們更好地理解 DDR3 時(shí)代的技術(shù)特點(diǎn)與應(yīng)用脈絡(luò)。
    2025-08-15 20次
  • 三星半導(dǎo)體 K4B1G0846I-BCK0:DDR3 時(shí)代的經(jīng)典芯片
  • 在半導(dǎo)體發(fā)展的長河中,三星半導(dǎo)體 K4B1G0846I-BCK0 作為一款 DDR3 內(nèi)存芯片,曾憑借其獨(dú)特的性能與技術(shù),在眾多電子產(chǎn)品中留下深刻印記。盡管如今它已停產(chǎn),但回顧其特性,仍能讓我們洞察當(dāng)時(shí)半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展脈絡(luò)。
    2025-08-15 30次
  • 三星半導(dǎo)體 K4ABG165WB-MCWE:高性能 DDR4 內(nèi)存芯片簡介
  • K4ABG165WB-MCWE 擁有 32Gb 的大容量,采用 2G x 16 的組織形式,為數(shù)據(jù)的高效存儲(chǔ)提供了充足空間。其數(shù)據(jù)傳輸率高達(dá) 3200Mbps,這一速度使其在數(shù)據(jù)處理時(shí)極為高效,能夠快速讀取和寫入大量數(shù)據(jù),極大提升了系統(tǒng)的響應(yīng)速度。工作電壓僅 1.2V,低電壓設(shè)計(jì)有效降低了芯片的能耗
    2025-08-15 63次
  • 三星半導(dǎo)體 K4ABG165WA-MCWE:高性能內(nèi)存芯片解析
  • K4ABG165WA-MCWE 擁有令人矚目的技術(shù)規(guī)格。其存儲(chǔ)容量高達(dá) 16Gb,采用 1G x 16 的組織形式,這種布局為數(shù)據(jù)的高效存儲(chǔ)與傳輸?shù)於嘶A(chǔ)。在數(shù)據(jù)傳輸速度方面,它支持 2666Mbps 的數(shù)據(jù)傳輸率,能夠以極高的速率讀取和寫入數(shù)據(jù),極大地提升了數(shù)據(jù)處理效率。工作電壓僅需 1.2V,這不僅降低了芯片的能耗,還減少了設(shè)備的整體功耗,符合當(dāng)下綠色節(jié)能的發(fā)展理念。
    2025-08-15 49次
  • 三星半導(dǎo)體 K4ABG165WA-MCTD 開發(fā)應(yīng)用解析
  • K4ABG165WA-MCTD 在制程工藝上有極高要求。其采用先進(jìn)的制程技術(shù),例如可能運(yùn)用類似 32nm 或更先進(jìn)的工藝節(jié)點(diǎn)。在開發(fā)過程中,要嚴(yán)格控制光刻、蝕刻等關(guān)鍵環(huán)節(jié)的精度。光刻工藝決定了芯片內(nèi)部電路的最小特征尺寸,稍有偏差就可能導(dǎo)致電路短路或斷路等問題。
    2025-08-15 38次

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