在Renesas和RT-Thread工程師協(xié)作下,完成瑞薩Cortex-M內(nèi)核RA產(chǎn)品家族MCU的RT-Thread BSP框架和制作教程發(fā)布,這意味著使用RA MCU(RA2系列、RA4系列、RA6系列)的開(kāi)發(fā)者可以根據(jù)教程快速制作自己的BSP,使用RT-Thread豐富的組件和軟件包進(jìn)行產(chǎn)品應(yīng)用開(kāi)發(fā),提高開(kāi)發(fā)效率。
RA MCU的RT-Thread BSP結(jié)合了瑞薩電子的靈活配置軟件包(下文簡(jiǎn)稱(chēng)FSP)配置工具,F(xiàn)SP的圖形化工具界面(RASC,RA智能配置器)可以讓使用者可視化地選擇所用的芯片,并配置選用任一引腳、外設(shè),能減輕底層開(kāi)發(fā)工作量,節(jié)約時(shí)間。
RA MCU的RT-Thread BSP框架不僅大大提高了代碼復(fù)用率,降低了BSP的維護(hù)成本,而且可以更方便地給開(kāi)發(fā)者提供更豐富的驅(qū)動(dòng)文件,讓開(kāi)發(fā)者可以更容易地找到自己需要的資源。其主要特性如下:
使用FSP生成的RA模板工程,降低新BSP的添加難度
通用的驅(qū)動(dòng)文件,開(kāi)發(fā)者可以方便地使用所有驅(qū)動(dòng)
使用FSP配置工具對(duì)芯片外設(shè)進(jìn)行圖形化配置
每一個(gè)BSP主要由兩部分組成,分別是通用驅(qū)動(dòng)庫(kù)、特定開(kāi)發(fā)板BSP,下面的表格是以CPK-RA6M4的BSP為例:
為讓開(kāi)發(fā)者更好地了解RA MCU RT-Thread BSP制作教程和使用過(guò)程,本周四(3月31日)晚8點(diǎn),RT-Thread工程師將會(huì)直播講解相關(guān)的移植,本次移植將會(huì)使用RA2L1開(kāi)發(fā)板為示例。
下面對(duì)RA MCU產(chǎn)品做簡(jiǎn)要介紹,以便開(kāi)發(fā)者更好地了解RA產(chǎn)品家族MCU,并選擇合適的型號(hào)使用。
RA產(chǎn)品家族MCU
Renesas Advanced(RA)32位MCU采用Arm® Cortex®-M33、Arm® Cortex®-M23和Arm® Cortex®-M4處理器內(nèi)核,瑞薩 RA 產(chǎn)品家族單片機(jī)包括四個(gè)系列——已經(jīng)發(fā)布的RA2系列,適用于低功耗應(yīng)用;RA4系列,適用于需要低功耗、高性能和高安全性的設(shè)備;RA6系列,具有卓越的連接性能和安全性能。瑞薩還計(jì)劃發(fā)布RA8系列。
關(guān)于瑞薩電子RA MCU產(chǎn)品線(xiàn)路圖可參考如下:
已經(jīng)發(fā)布的RA2、RA4和RA6系列特色如下:
RA2系列
低功耗:基于Arm Cortex-M23內(nèi)核,最高頻率48MHz,擁有高達(dá)512KB的閃存和64KB的SRAM。電源電壓范圍為1.6V到5.5V。外設(shè)包括全速USB、CAN、24位∑-△模數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC)、12位數(shù)模轉(zhuǎn)換器(DAC)、電容式觸摸感應(yīng)以及安全功能。
RA4系列
高性能和出色的功耗:基于支持TrustZone的Arm Cortex-M33內(nèi)核或Arm Cortex-M4F內(nèi)核構(gòu)建,最高頻率100MHz。高達(dá)1MB的閃存和128KB的SRAM。電壓范圍為1.6V到5.5V。外設(shè)包括電容式觸摸感應(yīng)、段碼式LCD控制器、全速USB、CAN、安全功能以及數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器和定時(shí)器。RA4W1系列器件還額外配備了Bluetooth®低功耗(BLE)5.0。
RA6系列
高性能:基于支持TrustZone的Arm Cortex-M33內(nèi)核或Arm Cortex-M4F內(nèi)核。最高頻率240MHz。高達(dá)2MB的閃存和640KB的SRAM。電壓范圍為2.7V到3.6V。外設(shè)包括數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器、定時(shí)器、外部存儲(chǔ)總線(xiàn)、以太網(wǎng)、全速和高速USB、CAN、安全功能、電容式觸摸感應(yīng)和用于TFT顯示的圖形LCD控制器,以及2D圖形加速引擎。RA6Tx系列器件帶有用于電機(jī)控制的增強(qiáng)型外設(shè),如高分辨率PWM定時(shí)器或高級(jí)模擬模塊。