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  在前文中，大家了解了詳解SiP 技術的生態(tài)系統(tǒng)(二)——雙面塑模成型技術。今天為大家?guī)淼诙v，聊一聊系統(tǒng)級封裝技術的第二駕創(chuàng)新馬車——電磁干擾屏蔽技術(EMI Shielding Technology)。

  由于高密度線路和各種材料的封裝材料廣泛應用于系統(tǒng)級封裝本身的制造過程中，芯片與各種功能設備之間的合作也需要考慮，封裝結構復雜，因此電路元件之間會出現(xiàn)干擾信號問題。為了解決這個問題，長電科技目前有一系列高效干擾信號屏蔽技術方案，導入量產(chǎn)。

  下圖所示為一例由長電科技成功導入規(guī)模量產(chǎn)的高效電磁干擾屏蔽 SiP 射頻前端模塊產(chǎn)品。

  在電磁干擾屏蔽材料(EMI Shielding Materials)方面，一場技術創(chuàng)新的盛宴正在全球上演。無論是傳統(tǒng)材料巨頭如杜邦、漢高、信越化學、東洋油墨等，還是新晉 EMI 屏蔽材料先鋒如 Ntrium 等，都爭相推出質(zhì)量更可靠、效果更全面、價格更實惠的全新產(chǎn)品及流程方案。

  對于絕大多數(shù)倒裝型(Flip Chip)系統(tǒng)級封裝產(chǎn)品來說，單芯(Per Die)的平均功率范圍一般在 1W 到 15W 之間，因此在地散熱能力(Local Thermal Conductivity)是檢驗 SiP 系統(tǒng)整體性能的關鍵一環(huán)。

  目前可用來提升散熱性能的技術方案有以下幾種：芯片背面外露技術、高導熱塑封材料技術、芯片背面金屬板裝技術(例如 Heat Sink)、基板金屬內(nèi)層加厚技術以及芯片背面金屬化技術(Backside Metallization Technology)。

  長電科技的工程驗證結果表明，與其他方案相比，芯片背面金屬化技術更適用于加強低、中功率范圍的倒裝型結構的導熱性，同等成本條件下，散熱效果的裕值可達到 25%，可謂立竿見影。而電磁干擾屏蔽材料的背面金屬化技術同樣可以用于芯片背面金屬化。

  如下圖所示，長電科技已獲得該技術方案的數(shù)項發(fā)明專利。

  從材料到工藝，從技術到方案，長電科技對于創(chuàng)新的不斷追求促成了其在電磁干擾屏蔽技術領域強大的技術實力與全面的產(chǎn)品覆蓋。系統(tǒng)級封裝(SiP)技術作為目前火熱的封裝技術領域，在長電科技強大 EMI 技術的加持之下，能夠有效地完成對潛在電磁干擾的屏蔽，滿足全球市場需求。