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IMZA120R040M1H

在產(chǎn)

CoolSiC ? MOSFET 分立器件 1200 V、40 mΩ G1 采用 TO247-4 封裝，基于最先進(jìn)的溝槽半導(dǎo)體工藝構(gòu)建，經(jīng)過(guò)優(yōu)化，兼具性能和可靠性。這些包括 SiC 開(kāi)關(guān)中看到的最低柵極電荷和器件電容水平、反并聯(lián)二極管無(wú)反向恢復(fù)損耗、與溫度無(wú)關(guān)的低開(kāi)關(guān)損耗和無(wú)閾值導(dǎo)通特性。

Infineon英飛凌 IMZA120R040M1H 產(chǎn)品介紹
2026-04-14 1次

特性


  • 同類(lèi)最佳的開(kāi)關(guān)損耗
  • 同類(lèi)最佳的傳導(dǎo)損耗
  • 基準(zhǔn)柵極閾值電壓
  • Vth > 4 V
  • 可應(yīng)用 0V 關(guān)斷柵極電壓
  • 寬柵極-源極電壓范圍
  • 用于硬換向的堅(jiān)固二極管
  • 溫度。印第安納州關(guān)斷開(kāi)關(guān)損耗
  • .XT互連技術(shù)

應(yīng)用


電動(dòng)汽車(chē)牽引逆變器, 電池化成和測(cè)試, Battery energy storage (BESS), 電動(dòng)汽車(chē)充電, 通用電機(jī)驅(qū)動(dòng)器, 光伏, 馬達(dá)控制, 開(kāi)關(guān)模式電源（SMPS）

參數(shù)


類(lèi)型

描述

Ciss

1620 pF

Coss

75 pF

最高 ID (@25°C)

55 A

最高 Ptot (@ TA=25°C)

227 W

Qgd

11 nC

QG

39 nC

RDS (on) (@ Tj = 25°C)

40 m?

最高 RthJA

62 K/W

最高 RthJC

0.66 K/W

最高 Tj

175 °C

最高 VDS

1200 V

安裝

THT

封裝

TO-247-4

工作溫度 范圍

-55 °C 至 175 °C

引腳數(shù)量

4 Pins

技術(shù)

CoolSiC? G1

極性

N

認(rèn)證標(biāo)準(zhǔn)

Industrial

  • Infineon英飛凌 IMW65R010M2H 產(chǎn)品介紹
    • 采用 TO-247-3 封裝的 CoolSiC ? MOSFET 650 V、10 mΩ G2 以第一代技術(shù)的優(yōu)勢(shì)為基礎(chǔ)，能夠加速系統(tǒng)設(shè)計(jì)，從而實(shí)現(xiàn)成本更優(yōu)化、更高效、更緊湊、更可靠的解決方案。第二代在硬開(kāi)關(guān)操作和軟開(kāi)關(guān)拓?fù)涞年P(guān)鍵品質(zhì)因數(shù)方面都有顯著改進(jìn)，適用于所有常見(jiàn)的 AC-DC、DC-DC 和 DC-AC 級(jí)組合。
    2026-04-14 3次
  • Infineon英飛凌 AIMBG75R050M2H 產(chǎn)品介紹
    • CoolSiC? MOSFET 750 V 利用了英飛凌 20 多年的 SiC 經(jīng)驗(yàn)。它在性能、可靠性和穩(wěn)健性方面具有優(yōu)勢(shì)，具有柵極驅(qū)動(dòng)靈活性，可實(shí)現(xiàn)簡(jiǎn)化且高效的系統(tǒng)設(shè)計(jì)，從而實(shí)現(xiàn)最高效率和功率密度。 創(chuàng)新的頂部冷卻封裝進(jìn)一步增強(qiáng)了CoolSiC? 750 V 的優(yōu)勢(shì)，提供了更高的密度、優(yōu)化的功率回路設(shè)計(jì)以及更少的系統(tǒng)和組裝成本。
    2026-04-14 2次
  • Infineon英飛凌 BAT15-02ELS 產(chǎn)品介紹
    • 這款英飛凌射頻肖特基二極管是一款硅低勢(shì)壘 N 型器件，片上集成有保護(hù)環(huán)，用于過(guò)壓保護(hù)。其低勢(shì)壘高度、低正向電壓和低結(jié)電容使 BAT15-02ELS 成為頻率高達(dá) 12 GHz 的應(yīng)用中混頻器和檢測(cè)器功能的合適選擇。
    2026-04-14 2次
  • Infineon英飛凌 IMW120R060M1H 產(chǎn)品介紹
    • CoolSiC ? MOSFET 分立器件 1200 V、60 mΩ G1 采用 TO247-3 封裝，基于最先進(jìn)的溝槽半導(dǎo)體工藝構(gòu)建，經(jīng)過(guò)優(yōu)化，兼具性能和可靠性。這些包括 SiC 開(kāi)關(guān)中看到的最低柵極電荷和器件電容水平、反并聯(lián)二極管無(wú)反向恢復(fù)損耗、與溫度無(wú)關(guān)的低開(kāi)關(guān)損耗和無(wú)閾值導(dǎo)通特性。
    2026-04-14 2次
  • Infineon英飛凌 IMCQ120R078M2H 產(chǎn)品介紹
    • CoolSiC ? MOSFET 分立器件 1200 V、78 mΩ G2 采用頂部冷卻 Q-DPAK 封裝，專(zhuān)為廣泛用于工業(yè)應(yīng)用而設(shè)計(jì)。Q-DPAK封裝解決方案為客戶(hù)提供了出色的熱性能、更簡(jiǎn)便的組裝和更低的系統(tǒng)成本。頂部冷卻的 Q-DPAK 單開(kāi)關(guān)開(kāi)創(chuàng)了冷卻、能源效率、設(shè)計(jì)靈活性和性能的新時(shí)代。
    2026-04-14 3次
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