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CYW20736

現(xiàn)貨,推薦

英飛凌CYW20736是一款先進(jìn)的低功耗藍(lán)牙SoC芯片,支持無線充電配置文件。CYW20736旨在支持整個(gè)低功耗藍(lán)牙SoC芯片應(yīng)用,包括醫(yī)療保健、家庭自動(dòng)化、配件、傳感器、物聯(lián)網(wǎng)和可穿戴產(chǎn)品等。

Infineon英飛凌 CYW20736 產(chǎn)品介紹
2026-04-14 6次

產(chǎn)品詳情


  • 低功耗
  • 低成本
  • 強(qiáng)大的通信

特性


  • 單芯片藍(lán)牙?低功耗 SoC
  • 單片組件
  • 32 引腳、5 mm × 5 mm 32-QFN 封裝
  • WLCSP 封裝
  • ModusToolbox ?支持

應(yīng)用


汽車熱管理, 汽車電動(dòng)泵和風(fēng)扇 12 V, 消費(fèi)類電子產(chǎn)品, 信息和通信技術(shù)

參數(shù)


類型

描述

15年的壽命

Yes

CPU 頻率

24 MHz

CPU

Arm? Cortex?-M3

GPIO

14

RAM

60 kByte

ROM

320 kByte

使用壽命-延長

No

發(fā)布日期

31-12-2015

合作伙伴模塊

Y

工作溫度 范圍

-30 °C 至 85 °C

工作電壓 范圍

1.62 V 至 3.63 V

目前計(jì)劃的可用性至少到

31-12-2030

系列

AIROC? Bluetooth LE

藍(lán)牙LE RX SENSITIVITY

-93 dBm

藍(lán)牙LE TX POWER

4 dBm

藍(lán)牙LE

Yes

藍(lán)牙經(jīng)典

No

藍(lán)牙規(guī)格

5.4

軟件支持

ModusToolbox?

  • Infineon英飛凌 IMW65R010M2H 產(chǎn)品介紹
  • 采用 TO-247-3 封裝的 CoolSiC ? MOSFET 650 V、10 mΩ G2 以第一代技術(shù)的優(yōu)勢(shì)為基礎(chǔ),能夠加速系統(tǒng)設(shè)計(jì),從而實(shí)現(xiàn)成本更優(yōu)化、更高效、更緊湊、更可靠的解決方案。第二代在硬開關(guān)操作和軟開關(guān)拓?fù)涞年P(guān)鍵品質(zhì)因數(shù)方面都有顯著改進(jìn),適用于所有常見的 AC-DC、DC-DC 和 DC-AC 級(jí)組合。
    2026-04-14 13次
  • Infineon英飛凌 AIMBG75R050M2H 產(chǎn)品介紹
  • CoolSiC? MOSFET 750 V 利用了英飛凌 20 多年的 SiC 經(jīng)驗(yàn)。它在性能、可靠性和穩(wěn)健性方面具有優(yōu)勢(shì),具有柵極驅(qū)動(dòng)靈活性,可實(shí)現(xiàn)簡化且高效的系統(tǒng)設(shè)計(jì),從而實(shí)現(xiàn)最高效率和功率密度。 創(chuàng)新的頂部冷卻封裝進(jìn)一步增強(qiáng)了CoolSiC? 750 V 的優(yōu)勢(shì),提供了更高的密度、優(yōu)化的功率回路設(shè)計(jì)以及更少的系統(tǒng)和組裝成本。
    2026-04-14 19次
  • Infineon英飛凌 BAT15-02ELS 產(chǎn)品介紹
  • 這款英飛凌射頻肖特基二極管是一款硅低勢(shì)壘 N 型器件,片上集成有保護(hù)環(huán),用于過壓保護(hù)。其低勢(shì)壘高度、低正向電壓和低結(jié)電容使 BAT15-02ELS 成為頻率高達(dá) 12 GHz 的應(yīng)用中混頻器和檢測(cè)器功能的合適選擇。
    2026-04-14 15次
  • Infineon英飛凌 IMW120R060M1H 產(chǎn)品介紹
  • CoolSiC ? MOSFET 分立器件 1200 V、60 mΩ G1 采用 TO247-3 封裝,基于最先進(jìn)的溝槽半導(dǎo)體工藝構(gòu)建,經(jīng)過優(yōu)化,兼具性能和可靠性。這些包括 SiC 開關(guān)中看到的最低柵極電荷和器件電容水平、反并聯(lián)二極管無反向恢復(fù)損耗、與溫度無關(guān)的低開關(guān)損耗和無閾值導(dǎo)通特性。
    2026-04-14 10次
  • Infineon英飛凌 IMCQ120R078M2H 產(chǎn)品介紹
  • CoolSiC ? MOSFET 分立器件 1200 V、78 mΩ G2 采用頂部冷卻 Q-DPAK 封裝,專為廣泛用于工業(yè)應(yīng)用而設(shè)計(jì)。Q-DPAK封裝解決方案為客戶提供了出色的熱性能、更簡便的組裝和更低的系統(tǒng)成本。頂部冷卻的 Q-DPAK 單開關(guān)開創(chuàng)了冷卻、能源效率、設(shè)計(jì)靈活性和性能的新時(shí)代。
    2026-04-14 16次
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