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BGMC1210

現(xiàn)貨，推薦

BGMC1210 是功率放大器 (PA) 的偏置和控制 IC。該設(shè)備針對(duì) Doherty PA 進(jìn)行了優(yōu)化，最多可偏置 2 個(gè) PA，每個(gè) PA 有 4 個(gè) DAC 輸出，但可用于任何 PA 配置。DAC 的分辨率為 12 位，電流驅(qū)動(dòng)能力為 50 mA 拉電流和 20 mA 灌電流。DAC 分為兩組，每組都有獨(dú)立的電源，可以使用正電源電壓和負(fù)電源電壓進(jìn)行操作，以便對(duì) LDMOS 和 GaN 晶體管進(jìn)行偏置。此外，BGMC1210 還提供集成鉗位開關(guān)，用于 PA 的快速 TDD 操作，以及集成 ADC，用于測(cè)量電源電壓和漏極電流。

Infineon英飛凌 BGMC1210 產(chǎn)品介紹
2026-04-14 9次

產(chǎn)品詳情


  • 偏置和控制芯片，用于偏置兩個(gè)發(fā)射 (Tx) 通道的 Doherty 功率放大器
  • LDMOS 和 GaN PA 的正負(fù)輸出范圍
  • 集成鉗位開關(guān)和緩沖器，可實(shí)現(xiàn)快速 TDD 操作
  • 集成 60V ADC，用于 PA 電流和電壓測(cè)量
  • 溫度傳感器以及快速 I3C 和 I2C 串行接口

特性


  • 8 個(gè) 12 位分辨率 DAC
  • 2 個(gè)電流檢測(cè) ADC 和 1 個(gè)電壓 ADC
  • 輸出電壓范圍：-7…0 / 0…+7 V
  • 集成溫度傳感器
  • 控制接口：I2C & I3C
  • 封裝：VQFN-32（5x5 mm2）

參數(shù)


類型

描述

DAC (#，最大分辨率@采樣率)

12-bit

DAC輸出

8

工作溫度范圍 范圍

-40 °C 至 150 °C

控制接口

I2C, I3C

特性

Clamping Switches, Temperature Sensor

電壓ADC輸入

4 (11-bit)

電流檢測(cè) ADC 輸入

2 (12-bit)

  • Infineon英飛凌 IMW65R010M2H 產(chǎn)品介紹
    • 采用 TO-247-3 封裝的 CoolSiC ? MOSFET 650 V、10 mΩ G2 以第一代技術(shù)的優(yōu)勢(shì)為基礎(chǔ)，能夠加速系統(tǒng)設(shè)計(jì)，從而實(shí)現(xiàn)成本更優(yōu)化、更高效、更緊湊、更可靠的解決方案。第二代在硬開關(guān)操作和軟開關(guān)拓?fù)涞年P(guān)鍵品質(zhì)因數(shù)方面都有顯著改進(jìn)，適用于所有常見的 AC-DC、DC-DC 和 DC-AC 級(jí)組合。
    2026-04-14 13次
  • Infineon英飛凌 AIMBG75R050M2H 產(chǎn)品介紹
    • CoolSiC? MOSFET 750 V 利用了英飛凌 20 多年的 SiC 經(jīng)驗(yàn)。它在性能、可靠性和穩(wěn)健性方面具有優(yōu)勢(shì)，具有柵極驅(qū)動(dòng)靈活性，可實(shí)現(xiàn)簡(jiǎn)化且高效的系統(tǒng)設(shè)計(jì)，從而實(shí)現(xiàn)最高效率和功率密度。 創(chuàng)新的頂部冷卻封裝進(jìn)一步增強(qiáng)了CoolSiC? 750 V 的優(yōu)勢(shì)，提供了更高的密度、優(yōu)化的功率回路設(shè)計(jì)以及更少的系統(tǒng)和組裝成本。
    2026-04-14 19次
  • Infineon英飛凌 BAT15-02ELS 產(chǎn)品介紹
    • 這款英飛凌射頻肖特基二極管是一款硅低勢(shì)壘 N 型器件，片上集成有保護(hù)環(huán)，用于過壓保護(hù)。其低勢(shì)壘高度、低正向電壓和低結(jié)電容使 BAT15-02ELS 成為頻率高達(dá) 12 GHz 的應(yīng)用中混頻器和檢測(cè)器功能的合適選擇。
    2026-04-14 15次
  • Infineon英飛凌 IMW120R060M1H 產(chǎn)品介紹
    • CoolSiC ? MOSFET 分立器件 1200 V、60 mΩ G1 采用 TO247-3 封裝，基于最先進(jìn)的溝槽半導(dǎo)體工藝構(gòu)建，經(jīng)過優(yōu)化，兼具性能和可靠性。這些包括 SiC 開關(guān)中看到的最低柵極電荷和器件電容水平、反并聯(lián)二極管無反向恢復(fù)損耗、與溫度無關(guān)的低開關(guān)損耗和無閾值導(dǎo)通特性。
    2026-04-14 10次
  • Infineon英飛凌 IMCQ120R078M2H 產(chǎn)品介紹
    • CoolSiC ? MOSFET 分立器件 1200 V、78 mΩ G2 采用頂部冷卻 Q-DPAK 封裝，專為廣泛用于工業(yè)應(yīng)用而設(shè)計(jì)。Q-DPAK封裝解決方案為客戶提供了出色的熱性能、更簡(jiǎn)便的組裝和更低的系統(tǒng)成本。頂部冷卻的 Q-DPAK 單開關(guān)開創(chuàng)了冷卻、能源效率、設(shè)計(jì)靈活性和性能的新時(shí)代。
    2026-04-14 16次
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