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XMC4700-E196F2048 AA

現(xiàn)貨，推薦

XMC4700器件是基于 Arm? Cortex-M4? 處理器內(nèi)核的 XMC4000 系列微控制器的成員。當今節(jié)能嵌入式控制應(yīng)用日益復(fù)雜，要求微控制器解決方案必須具有更高性能、具有 DSP 和 FPU 功能的 CPU 內(nèi)核。 XMC4700 系列微控制器利用英飛凌在工業(yè)市場數(shù)十年的經(jīng)驗，提供優(yōu)化的解決方案，以應(yīng)對當今嵌入式控制應(yīng)用的性能挑戰(zhàn)。

Infineon英飛凌 XMC4700-E196F2048 AA 產(chǎn)品介紹
2026-04-14 1次

特性


  • ARM ? Cortex ? -M4 @ 144MHz
  • 2048kB 閃存、352kB RAM
  • Flash 上的數(shù)據(jù)和 IP 保護
  • 電源電壓范圍：3.13 – 3.63V
  • 6 x CAN節(jié)點
  • 以太網(wǎng)MAC、USB-OTG、SD/MMC
  • 6chanUSIC（配置為 SPI、UART、IIC、IIS）
  • 外部總線單元
  • 4 x 12 位 ADC，26 個輸入通道
  • 2通道12位DAC
  • 4通道?Σ解調(diào)器
  • 24 x 16 位專用定時器

參數(shù)


類型

描述

A/D輸入線路 (incl. FADC)

26

CAN節(jié)點

6

CPU

ARM Cortex-M4

DMA通道

12

DSP功能

Yes

EEPROM仿真 (Data-Flash)

Emulated

SRAM (包括高速緩存)

352 kByte

SRAM

352 kByte

串行I/O接口

6

串行I/O接口的類型

SPI, I2S, I2C, UART

功耗模式

clock gating possible

外部總線接口

Yes

存儲器類型

Flash

定時I/O引腳 (PWM, CAPCOM)

32

實時時鐘

Yes

快速閃存編程

No

指令寬度 ([bits])

32/16

振蕩器看門狗

Yes

數(shù)字I/O引腳

155

最低I/O 操作電壓

3.3 V

次內(nèi)核

N/A

浮點單元

Yes

溫度

-40 to 85°C

片上時鐘生成

Yes

片上電壓調(diào)節(jié)器

Yes

看門狗定時器

Yes

程序存儲器

2048 kByte

系列

XMC4700

觸摸/LED矩陣控制

Yes

認證標準

Industrial

閃存

2048 kByte

附加功能

USB, SD/MMC, Ethernet 10/100 Mbit/s

預(yù)算價格€/1k

11.49

最高 頻率

144 MHz

  • Infineon英飛凌 IMW65R010M2H 產(chǎn)品介紹
    • 采用 TO-247-3 封裝的 CoolSiC ? MOSFET 650 V、10 mΩ G2 以第一代技術(shù)的優(yōu)勢為基礎(chǔ)，能夠加速系統(tǒng)設(shè)計，從而實現(xiàn)成本更優(yōu)化、更高效、更緊湊、更可靠的解決方案。第二代在硬開關(guān)操作和軟開關(guān)拓撲的關(guān)鍵品質(zhì)因數(shù)方面都有顯著改進，適用于所有常見的 AC-DC、DC-DC 和 DC-AC 級組合。
    2026-04-14 13次
  • Infineon英飛凌 AIMBG75R050M2H 產(chǎn)品介紹
    • CoolSiC? MOSFET 750 V 利用了英飛凌 20 多年的 SiC 經(jīng)驗。它在性能、可靠性和穩(wěn)健性方面具有優(yōu)勢，具有柵極驅(qū)動靈活性，可實現(xiàn)簡化且高效的系統(tǒng)設(shè)計，從而實現(xiàn)最高效率和功率密度。 創(chuàng)新的頂部冷卻封裝進一步增強了CoolSiC? 750 V 的優(yōu)勢，提供了更高的密度、優(yōu)化的功率回路設(shè)計以及更少的系統(tǒng)和組裝成本。
    2026-04-14 19次
  • Infineon英飛凌 BAT15-02ELS 產(chǎn)品介紹
    • 這款英飛凌射頻肖特基二極管是一款硅低勢壘 N 型器件，片上集成有保護環(huán)，用于過壓保護。其低勢壘高度、低正向電壓和低結(jié)電容使 BAT15-02ELS 成為頻率高達 12 GHz 的應(yīng)用中混頻器和檢測器功能的合適選擇。
    2026-04-14 15次
  • Infineon英飛凌 IMW120R060M1H 產(chǎn)品介紹
    • CoolSiC ? MOSFET 分立器件 1200 V、60 mΩ G1 采用 TO247-3 封裝，基于最先進的溝槽半導(dǎo)體工藝構(gòu)建，經(jīng)過優(yōu)化，兼具性能和可靠性。這些包括 SiC 開關(guān)中看到的最低柵極電荷和器件電容水平、反并聯(lián)二極管無反向恢復(fù)損耗、與溫度無關(guān)的低開關(guān)損耗和無閾值導(dǎo)通特性。
    2026-04-14 10次
  • Infineon英飛凌 IMCQ120R078M2H 產(chǎn)品介紹
    • CoolSiC ? MOSFET 分立器件 1200 V、78 mΩ G2 采用頂部冷卻 Q-DPAK 封裝，專為廣泛用于工業(yè)應(yīng)用而設(shè)計。Q-DPAK封裝解決方案為客戶提供了出色的熱性能、更簡便的組裝和更低的系統(tǒng)成本。頂部冷卻的 Q-DPAK 單開關(guān)開創(chuàng)了冷卻、能源效率、設(shè)計靈活性和性能的新時代。
    2026-04-14 16次
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