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GS-065-008-6-L-TR

GS-065-008-6-L 是一種增強型 GaN-on-Si 功率晶體管，具有允許高電流、高擊穿電壓和高開關(guān)頻率的特性。它采用底部冷卻的 PDFN 封裝，具有非常低的結(jié)到外殼熱阻，使其成為要求嚴格的高功率應(yīng)用的理想選擇。這些特性結(jié)合在一起，確保了電源切換的極高效率。

Infineon英飛凌 GS-065-008-6-L-TR 產(chǎn)品介紹
2026-04-14 1次

產(chǎn)品詳情


  • 支持高工作頻率
  • 實現(xiàn)最高系統(tǒng)效率
  • 實現(xiàn)超高功率密度設(shè)計
  • 支持節(jié)省 BOM 成本

特性


  • 700 V e-mode 功率晶體管
  • 850 V 瞬態(tài)漏源電壓
  • 底部冷卻，小型 5x6 mm PDFN 封裝
  • RDS(on)= 165 mΩ
  • IDSmax,DC= 8.8 A /IDSmax,Pulse= 14.8 A
  • 超低 FOM
  • 柵極驅(qū)動要求 (0 V 至 6 V)
  • 高開關(guān)頻率 (> 1 MHz)
  • 快速、可控的下降和上升時間
  • 反向傳導(dǎo)能力
  • 零反向恢復(fù)損耗

應(yīng)用


USB-C 充電器和適配器, 數(shù)據(jù)中心及 AI 數(shù)據(jù)中心解決方案, 電信基礎(chǔ)設(shè)施的 AC-DC 電源轉(zhuǎn)換, 開關(guān)模式電源（SMPS）

參數(shù)


類型

描述

最高 ID (@25°C)

8.8 A

最高 IDpuls (@25°C)

14.8 A

QG

1.6 nC

RDS (on) (typ)

165 m?

最高 RDS (on)

235 m?

最高 VDS

700 V

封裝

PDFN

環(huán)保認證

RoHS compliant, Halogen free

認證標準

Industrial

  • Infineon英飛凌 IMW65R010M2H 產(chǎn)品介紹
    • 采用 TO-247-3 封裝的 CoolSiC ? MOSFET 650 V、10 mΩ G2 以第一代技術(shù)的優(yōu)勢為基礎(chǔ)，能夠加速系統(tǒng)設(shè)計，從而實現(xiàn)成本更優(yōu)化、更高效、更緊湊、更可靠的解決方案。第二代在硬開關(guān)操作和軟開關(guān)拓撲的關(guān)鍵品質(zhì)因數(shù)方面都有顯著改進，適用于所有常見的 AC-DC、DC-DC 和 DC-AC 級組合。
    2026-04-14 13次
  • Infineon英飛凌 AIMBG75R050M2H 產(chǎn)品介紹
    • CoolSiC? MOSFET 750 V 利用了英飛凌 20 多年的 SiC 經(jīng)驗。它在性能、可靠性和穩(wěn)健性方面具有優(yōu)勢，具有柵極驅(qū)動靈活性，可實現(xiàn)簡化且高效的系統(tǒng)設(shè)計，從而實現(xiàn)最高效率和功率密度。 創(chuàng)新的頂部冷卻封裝進一步增強了CoolSiC? 750 V 的優(yōu)勢，提供了更高的密度、優(yōu)化的功率回路設(shè)計以及更少的系統(tǒng)和組裝成本。
    2026-04-14 19次
  • Infineon英飛凌 BAT15-02ELS 產(chǎn)品介紹
    • 這款英飛凌射頻肖特基二極管是一款硅低勢壘 N 型器件，片上集成有保護環(huán)，用于過壓保護。其低勢壘高度、低正向電壓和低結(jié)電容使 BAT15-02ELS 成為頻率高達 12 GHz 的應(yīng)用中混頻器和檢測器功能的合適選擇。
    2026-04-14 15次
  • Infineon英飛凌 IMW120R060M1H 產(chǎn)品介紹
    • CoolSiC ? MOSFET 分立器件 1200 V、60 mΩ G1 采用 TO247-3 封裝，基于最先進的溝槽半導(dǎo)體工藝構(gòu)建，經(jīng)過優(yōu)化，兼具性能和可靠性。這些包括 SiC 開關(guān)中看到的最低柵極電荷和器件電容水平、反并聯(lián)二極管無反向恢復(fù)損耗、與溫度無關(guān)的低開關(guān)損耗和無閾值導(dǎo)通特性。
    2026-04-14 10次
  • Infineon英飛凌 IMCQ120R078M2H 產(chǎn)品介紹
    • CoolSiC ? MOSFET 分立器件 1200 V、78 mΩ G2 采用頂部冷卻 Q-DPAK 封裝，專為廣泛用于工業(yè)應(yīng)用而設(shè)計。Q-DPAK封裝解決方案為客戶提供了出色的熱性能、更簡便的組裝和更低的系統(tǒng)成本。頂部冷卻的 Q-DPAK 單開關(guān)開創(chuàng)了冷卻、能源效率、設(shè)計靈活性和性能的新時代。
    2026-04-14 16次
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