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STT1900N18P55

現(xiàn)貨，推薦

晶閘管/晶閘管 55 毫米電源啟動(dòng) 1800 V、1900 A 模塊適用于壓力接觸技術(shù)中的軟啟動(dòng)應(yīng)用。與現(xiàn)有的軟啟動(dòng)器解決方案相比，該設(shè)計(jì)理念的主要優(yōu)點(diǎn)是占地面積小（55 毫米），適合 1900 A 啟動(dòng)電流，從而允許接觸器兼容設(shè)計(jì)（長(zhǎng) x 寬 x 高 134x55x100 毫米）。此款英飛凌? Power Start 模塊還提供 1600 V 版本。

Infineon英飛凌 STT1900N18P55 產(chǎn)品介紹
2026-04-14 1次

特性


  • 纖薄的體積
  • 減少關(guān)鍵組件
  • 集成散熱器
  • 無(wú)需導(dǎo)熱油脂
  • 熱容量與硅片耦合
  • 雙面冷卻

應(yīng)用


馬達(dá)控制

參數(shù)


類(lèi)型

描述

Ioverload (21s) [A]

1900

ITSM [A] (@10ms, Tvj max)

14000

rT [m?] (@Tvj max)

0.28

最高 RthJA (21s) [W/K ]

0.087

最高 Tvj [°C]

155

VT [V/kA]

1.32/1.5

VT0 [V] (@Tvj max)

0.9

∫I2dt [A2s · 103] (@10ms, Tvj max)

980

電壓等級(jí)

1800 V

聯(lián)系技術(shù)部門(mén)

Pressure Contact

配置

W1C

  • Infineon英飛凌 IMW65R010M2H 產(chǎn)品介紹
    • 采用 TO-247-3 封裝的 CoolSiC ? MOSFET 650 V、10 mΩ G2 以第一代技術(shù)的優(yōu)勢(shì)為基礎(chǔ)，能夠加速系統(tǒng)設(shè)計(jì)，從而實(shí)現(xiàn)成本更優(yōu)化、更高效、更緊湊、更可靠的解決方案。第二代在硬開(kāi)關(guān)操作和軟開(kāi)關(guān)拓?fù)涞年P(guān)鍵品質(zhì)因數(shù)方面都有顯著改進(jìn)，適用于所有常見(jiàn)的 AC-DC、DC-DC 和 DC-AC 級(jí)組合。
    2026-04-14 13次
  • Infineon英飛凌 AIMBG75R050M2H 產(chǎn)品介紹
    • CoolSiC? MOSFET 750 V 利用了英飛凌 20 多年的 SiC 經(jīng)驗(yàn)。它在性能、可靠性和穩(wěn)健性方面具有優(yōu)勢(shì)，具有柵極驅(qū)動(dòng)靈活性，可實(shí)現(xiàn)簡(jiǎn)化且高效的系統(tǒng)設(shè)計(jì)，從而實(shí)現(xiàn)最高效率和功率密度。 創(chuàng)新的頂部冷卻封裝進(jìn)一步增強(qiáng)了CoolSiC? 750 V 的優(yōu)勢(shì)，提供了更高的密度、優(yōu)化的功率回路設(shè)計(jì)以及更少的系統(tǒng)和組裝成本。
    2026-04-14 19次
  • Infineon英飛凌 BAT15-02ELS 產(chǎn)品介紹
    • 這款英飛凌射頻肖特基二極管是一款硅低勢(shì)壘 N 型器件，片上集成有保護(hù)環(huán)，用于過(guò)壓保護(hù)。其低勢(shì)壘高度、低正向電壓和低結(jié)電容使 BAT15-02ELS 成為頻率高達(dá) 12 GHz 的應(yīng)用中混頻器和檢測(cè)器功能的合適選擇。
    2026-04-14 15次
  • Infineon英飛凌 IMW120R060M1H 產(chǎn)品介紹
    • CoolSiC ? MOSFET 分立器件 1200 V、60 mΩ G1 采用 TO247-3 封裝，基于最先進(jìn)的溝槽半導(dǎo)體工藝構(gòu)建，經(jīng)過(guò)優(yōu)化，兼具性能和可靠性。這些包括 SiC 開(kāi)關(guān)中看到的最低柵極電荷和器件電容水平、反并聯(lián)二極管無(wú)反向恢復(fù)損耗、與溫度無(wú)關(guān)的低開(kāi)關(guān)損耗和無(wú)閾值導(dǎo)通特性。
    2026-04-14 10次
  • Infineon英飛凌 IMCQ120R078M2H 產(chǎn)品介紹
    • CoolSiC ? MOSFET 分立器件 1200 V、78 mΩ G2 采用頂部冷卻 Q-DPAK 封裝，專(zhuān)為廣泛用于工業(yè)應(yīng)用而設(shè)計(jì)。Q-DPAK封裝解決方案為客戶(hù)提供了出色的熱性能、更簡(jiǎn)便的組裝和更低的系統(tǒng)成本。頂部冷卻的 Q-DPAK 單開(kāi)關(guān)開(kāi)創(chuàng)了冷卻、能源效率、設(shè)計(jì)靈活性和性能的新時(shí)代。
    2026-04-14 16次
    10s
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