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IGLR70R140D2S

現貨,推薦

IGLR70R140D2S GaN功率晶體管可提高高頻運行時的效率。作為 CoolGaN ? G5 系列的一部分,它符合最高質量標準,可實現具有卓越效率的高可靠性設計。 它采用底部冷卻的 ThinPAK 封裝,非常適合具有纖薄外形的消費類應用。

Infineon英飛凌 IGLR70R140D2S 產品介紹
2026-04-14 12次

產品詳情


  • 支持高工作頻率
  • 實現最高的系統(tǒng)效率
  • 實現超高功率密度設計
  • 支持節(jié)省 BOM 成本

特性


  • 700 V e 模式功率晶體管
  • 超快切換
  • 無反向恢復電荷
  • 具有反向傳導能力
  • 低柵極電荷,低輸出電荷
  • 卓越的換向堅固性
  • 低動態(tài) RDS(on)
  • 高 ESD 耐受性:2 kV HBM - 1 kV CDM
  • 底部冷卻封裝
  • 通過 JEDEC 認證(JESD47、JESD22)

應用


USB-C 充電器和適配器, 數據中心及 AI 數據中心解決方案, 電信基礎設施的 AC-DC 電源轉換, 開關模式電源(SMPS), 工業(yè)電源

參數


類型

描述

最高 ID (@25°C)

13 A

最高 IDpuls (@25°C)

23 A

QG

2.6 nC

RDS (on) (typ)

140 m?

最高 VDS

700 V

封裝

PG-TSON-8

環(huán)保認證

RoHS compliant, Halogen free

目前計劃的可用性至少到

2035

系列

CoolGaN? Transistor 700 V G5

認證標準

Standard

  • Infineon英飛凌 IMW65R010M2H 產品介紹
  • 采用 TO-247-3 封裝的 CoolSiC ? MOSFET 650 V、10 mΩ G2 以第一代技術的優(yōu)勢為基礎,能夠加速系統(tǒng)設計,從而實現成本更優(yōu)化、更高效、更緊湊、更可靠的解決方案。第二代在硬開關操作和軟開關拓撲的關鍵品質因數方面都有顯著改進,適用于所有常見的 AC-DC、DC-DC 和 DC-AC 級組合。
    2026-04-14 13次
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    2026-04-14 19次
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    2026-04-14 15次
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    2026-04-14 10次
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  • CoolSiC ? MOSFET 分立器件 1200 V、78 mΩ G2 采用頂部冷卻 Q-DPAK 封裝,專為廣泛用于工業(yè)應用而設計。Q-DPAK封裝解決方案為客戶提供了出色的熱性能、更簡便的組裝和更低的系統(tǒng)成本。頂部冷卻的 Q-DPAK 單開關開創(chuàng)了冷卻、能源效率、設計靈活性和性能的新時代。
    2026-04-14 16次
    10s
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