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　　光子芯片各類有很多，根據(jù)不同的材料和工藝，不同工藝的芯片發(fā)揮不同的性能。市場上最常見的芯片是由硅材料制成的電子芯片。芯片線路用光刻機曝光，然后在芯片制造過程中集成數(shù)十億根晶體管。

　　晶體管數(shù)量越多，電子傳輸速度就越高。但在有限的芯片尺寸下，由于摩爾定律極限的到來，晶體管的總數(shù)很難增加。

　　指甲蓋大小的芯片很難集成數(shù)百億根晶體管。如果你想繼續(xù)突破，要么改進光刻機設備工藝，要么改進制造工藝，這并不容易。

　　在這種情況下，不斷探索不同材料和工藝的芯片制造方法。例如，碳基芯片是由石墨烯制成的，量子技術是量子芯片的探索。

　　此外，由砷化鎵等第二代半導體材料制成的光子芯片也成為業(yè)界關注的焦點。

　　光子芯片的概念很容易理解，它選擇光波作為信息傳輸?shù)拿浇?，在集成光學中模擬光信號，最終作用于芯片。光子芯片從材料到制造工藝與傳統(tǒng)電子芯片有很大的不同。

　　光子芯片通常采用第二代半導體砷化鎵、磷化鎵等材料，具有高帶寬、高導熱性，保證了光子芯片的高速傳輸。與電子芯片相比，光子芯片的處理速度提高了1000倍，功耗是電子芯片的九萬分之一。

　　此外，光子芯片不需要依賴高端EUV光刻機，其結構簡單，幾百納米的工藝工藝能滿足各行各業(yè)的需要。

　　光子芯片的探索已經(jīng)從理論轉向實踐。據(jù)業(yè)內(nèi)人士透露，中國第一條光子芯片生產(chǎn)線將于明年建成，目前正在規(guī)劃中。能夠滿足通信、數(shù)據(jù)中心等領域的需求。

　　當摩爾定律面臨極限時，開發(fā)其他芯片材料肯定會成為一種趨勢。在復雜的半導體工業(yè)環(huán)境中，突破規(guī)則封鎖已成為一項重要工作，因此在光子芯片的討論話題中，換道超車已成為一個高頻詞。