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英飛凌單級(jí)反激式控制器ICC80QSG
2022-11-17 758次

  選擇電池供電的電器是行業(yè)增長(zhǎng)最快的目標(biāo)市場(chǎng)之一,需要節(jié)能、穩(wěn)定需要節(jié)能、穩(wěn)定和具有成本效益的電池充電方案。為了滿足這一需求,英飛凌科技推出了適合反激拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的電池ICC80QSG調(diào)制單極脈沖寬度(PWM)控制器進(jìn)一步擴(kuò)展了英飛凌旗下的控制器AC-DC控制器IC商品陣容IC專(zhuān)為電池充電應(yīng)用量身定制,以及CoolMOS?P7非常結(jié)(SJ)MOSFET實(shí)現(xiàn)輸出功率高達(dá)130W是的,可擴(kuò)展的功率設(shè)計(jì)。本產(chǎn)品還適用于適配器、復(fù)印機(jī)、個(gè)人電腦、電視、顯示屏、機(jī)頂盒、音頻放大器等應(yīng)用。



  ICC80QSG電池充電IC支持多少低谷開(kāi)關(guān)?(QRMn)。除了準(zhǔn)諧振(QRM),還可以防止進(jìn)入連續(xù)導(dǎo)通方式(CCM)在中輕負(fù)荷下實(shí)現(xiàn)谷值開(kāi)關(guān)的斷續(xù)導(dǎo)通方式(DCM)。商品可以將ICC80QSG與CoolMOS?P7MOSFET配合使用設(shè)備,可提高能效,減少干擾信號(hào)(EMI)。而且,由于反激設(shè)計(jì)所需的散熱器和線圈較少,節(jié)省了散熱器和線圈BOM成本。此外,集成了輕負(fù)荷環(huán)境下的應(yīng)急模式,有利于在待機(jī)模式下實(shí)現(xiàn)極低的功耗。ICC80QSG格柵驅(qū)動(dòng)芯片的輸出電壓可以在緊急模式下降低,可以滿足輕載或無(wú)載環(huán)境下極低的待機(jī)消耗要求,從而在整個(gè)工作范圍內(nèi)發(fā)揮優(yōu)異的待機(jī)性能。

  ICC80QSG選擇次級(jí)側(cè)調(diào)整(SSR)控制方法,這是電流控制電池充電的理想方案。為了獲得更高的設(shè)計(jì)靈活性,它帶來(lái)了主要工作頻率于低谷開(kāi)關(guān)位置的可調(diào)導(dǎo)通時(shí)間對(duì)照表,以及限制輸入功率和電流,使其在低壓線路環(huán)境下安全運(yùn)行的可調(diào)導(dǎo)通時(shí)間。IC外部可調(diào)滯回過(guò)壓保護(hù)和欠壓,為初級(jí)MOSFET帶來(lái)保護(hù)。然后在輸入欠壓環(huán)境中,即使使用較少的散熱器也不會(huì)過(guò)熱。具有各種保護(hù)功能,ICC80QSG它可以為許多應(yīng)用程序?qū)崿F(xiàn)簡(jiǎn)單、安全和強(qiáng)大AC-DC電池充電器設(shè)計(jì)。

  • Infineon英飛凌 IMW65R010M2H 產(chǎn)品介紹
  • 采用 TO-247-3 封裝的 CoolSiC ? MOSFET 650 V、10 mΩ G2 以第一代技術(shù)的優(yōu)勢(shì)為基礎(chǔ),能夠加速系統(tǒng)設(shè)計(jì),從而實(shí)現(xiàn)成本更優(yōu)化、更高效、更緊湊、更可靠的解決方案。第二代在硬開(kāi)關(guān)操作和軟開(kāi)關(guān)拓?fù)涞年P(guān)鍵品質(zhì)因數(shù)方面都有顯著改進(jìn),適用于所有常見(jiàn)的 AC-DC、DC-DC 和 DC-AC 級(jí)組合。
    2026-04-14 27次
  • Infineon英飛凌 AIMBG75R050M2H 產(chǎn)品介紹
  • CoolSiC? MOSFET 750 V 利用了英飛凌 20 多年的 SiC 經(jīng)驗(yàn)。它在性能、可靠性和穩(wěn)健性方面具有優(yōu)勢(shì),具有柵極驅(qū)動(dòng)靈活性,可實(shí)現(xiàn)簡(jiǎn)化且高效的系統(tǒng)設(shè)計(jì),從而實(shí)現(xiàn)最高效率和功率密度。 創(chuàng)新的頂部冷卻封裝進(jìn)一步增強(qiáng)了CoolSiC? 750 V 的優(yōu)勢(shì),提供了更高的密度、優(yōu)化的功率回路設(shè)計(jì)以及更少的系統(tǒng)和組裝成本。
    2026-04-14 39次
  • Infineon英飛凌 BAT15-02ELS 產(chǎn)品介紹
  • 這款英飛凌射頻肖特基二極管是一款硅低勢(shì)壘 N 型器件,片上集成有保護(hù)環(huán),用于過(guò)壓保護(hù)。其低勢(shì)壘高度、低正向電壓和低結(jié)電容使 BAT15-02ELS 成為頻率高達(dá) 12 GHz 的應(yīng)用中混頻器和檢測(cè)器功能的合適選擇。
    2026-04-14 35次
  • Infineon英飛凌 IMW120R060M1H 產(chǎn)品介紹
  • CoolSiC ? MOSFET 分立器件 1200 V、60 mΩ G1 采用 TO247-3 封裝,基于最先進(jìn)的溝槽半導(dǎo)體工藝構(gòu)建,經(jīng)過(guò)優(yōu)化,兼具性能和可靠性。這些包括 SiC 開(kāi)關(guān)中看到的最低柵極電荷和器件電容水平、反并聯(lián)二極管無(wú)反向恢復(fù)損耗、與溫度無(wú)關(guān)的低開(kāi)關(guān)損耗和無(wú)閾值導(dǎo)通特性。
    2026-04-14 36次
  • Infineon英飛凌 IMCQ120R078M2H 產(chǎn)品介紹
  • CoolSiC ? MOSFET 分立器件 1200 V、78 mΩ G2 采用頂部冷卻 Q-DPAK 封裝,專(zhuān)為廣泛用于工業(yè)應(yīng)用而設(shè)計(jì)。Q-DPAK封裝解決方案為客戶提供了出色的熱性能、更簡(jiǎn)便的組裝和更低的系統(tǒng)成本。頂部冷卻的 Q-DPAK 單開(kāi)關(guān)開(kāi)創(chuàng)了冷卻、能源效率、設(shè)計(jì)靈活性和性能的新時(shí)代。
    2026-04-14 33次

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