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  2000V 60A CoolSiC? MOSFET EasyPACK? 3B首發(fā)產(chǎn)品

  采用2000V SiC MOSFET 4路1500V光伏系統(tǒng)升壓電路，每路電流IDN=60A

  產(chǎn)品型號(hào)：

  DF4-19MR20W3M1HF_B11

  DF4-19MR20W3M1HF_B11是第一個(gè)采用EasyPACK? 3B封裝的2000V CoolSiC? MOSFET功率模塊。它實(shí)現(xiàn)了更簡單的解決方案，減少了器件的數(shù)量，同時(shí)提高了功率密度，降低了1500 VDC應(yīng)用的總系統(tǒng)成本。

  DF4-19MR20W3M1HF_B11是4路Boost升壓電路，采用Easy 3B封裝。

  Easy 3B封裝，采用最新一代的CoolSiC? M1H芯片。2000V SiC MOSFET具有與1200V M1H系列相同的性能和優(yōu)勢，包括在125°C時(shí)降低12%的RDSon，更寬的柵源電壓區(qū)，具有更高的靈活性，最大結(jié)溫為175°C，并且芯片尺寸更小。

  產(chǎn)品特點(diǎn)

  2000V CoolSiC? MOSFET，是增強(qiáng)的第1代產(chǎn)品

  Easy 3B封裝

  4路升壓電路

  擴(kuò)大了推薦的柵極驅(qū)動(dòng)電壓窗口，從+15...+18V和0...-5V

  擴(kuò)展的最大柵極-源極電壓為+23V和-10V

  過載條件下的Tvjop高達(dá)175°C

  PressFIT壓接針

  應(yīng)用價(jià)值

  提高功率但器件數(shù)減少一半

  最新的CoolSiC?技術(shù)使您可以完全自由地選擇關(guān)斷時(shí)的柵極電壓

  與1700V相比，F(xiàn)IT率降低了10倍，因?yàn)闇p少了宇宙射線引起的故障率

  減少了由動(dòng)態(tài)分量引起的漂移

  目標(biāo)應(yīng)用

  光伏升壓電路

  框圖