h1_key

  英飛凌推出采用 TO263-7 封裝的新一代車規(guī)級1200 V CoolSiC? MOSFET。該款碳化硅 (SiC) MOSFET 具有高功率密度和效率，可實現(xiàn)雙向充電，并顯著降低車載充電 (OBC) 和 DC-DC 應用的系統(tǒng)成本。

  與第一代產(chǎn)品相比，1200 V CoolSiC 系列產(chǎn)品開關(guān)損耗降低了 25%，具有同類最佳的開關(guān)性能。開關(guān)行為的改進可實現(xiàn)高頻開關(guān)，從而縮小系統(tǒng)尺寸并提高功率密度。由于開通閾值電壓(VGS(th))大于4V且Crss/Ciss比率極低，因此在VGS = 0 V時可實現(xiàn)可靠的關(guān)斷，而且沒有寄生導通的風險。這使得單電源驅(qū)動成為可能，從而降低了系統(tǒng)成本和復雜性。另外，新一代產(chǎn)品具有低導通電阻(R DS(on))，減少了-55℃至175℃溫度范圍內(nèi)的導通損耗。

  先進的擴散焊接芯片貼裝工藝(.XT技術(shù))顯著改善了封裝的熱性能，相比第一代產(chǎn)品，SiC MOSFET的結(jié)溫降低了25%。

此外，這款MOSFET的爬電距離為5.89 mm，符合800 V系統(tǒng)要求并減少了噴涂三防漆類工作量。為滿足不同應用的需求，英飛凌提供R DS(on)不同的一系列產(chǎn)品，包括目前市場上唯一采用TO263-7封裝的9 mΩ產(chǎn)品。

  科世達在其 OBC 平臺中使用 CoolSiC MOSFET

  KOSTAL Automobil Elektrik在為中國OEM廠商提供的新一代OBC平臺中采用了英飛凌最新的CoolSiC MOSFET?？剖肋_是一家全球領(lǐng)先的汽車充電系統(tǒng)供應商，通過其標準化平臺方案為全球提供安全、可靠和高效的產(chǎn)品，可滿足各OEM廠商的要求及全球法規(guī)。

  英飛凌汽車高壓芯片和分立器件產(chǎn)品線副總裁Robert Hermann表示：“低碳化是這十年的主要挑戰(zhàn)，也是我們與客戶一起推動汽車電氣化進程的巨大動力。因此，我們十分高興能與科世達合作。這個項目突出了憑借領(lǐng)先的SiC技術(shù)，我們的標準產(chǎn)品組合在車載充電市場中的強大地位?！?/span>

  科世達亞洲副總裁兼技術(shù)執(zhí)行經(jīng)理Shen Jianyu表示：“英飛凌新一代1200V CoolSiC溝槽柵MOSFET額定電壓高、魯棒性優(yōu)異，是我們未來一代OBC平臺的關(guān)鍵部件。這些優(yōu)勢有助于創(chuàng)造一個兼容的設(shè)計，以管理我們最先進的技術(shù)解決方案，實現(xiàn)成本優(yōu)化和大規(guī)模市場交付。”