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英飛凌160V HB和HS+LS SOI柵極驅(qū)動器

2024-01-04 1480次

MOTIX? 160V HB和HS+LS SOI(絕緣體上硅)柵極驅(qū)動器集成電路采用VSON10、3x3 mm小尺寸封裝，具有2 種不同的源/漏電流，用于驅(qū)動N溝道MOSFET。集成自舉二極管(典型值為38 Ω)用于為外部高壓側(cè)自舉電容器供電。保護功能包括Vcc和VB引腳上的欠壓鎖定 (UVLO)，以及半橋產(chǎn)品的直通保護 (STP) 功能。根據(jù)JEDEC78/20/22的相關(guān)測試，該 MOTIX? 160V解決方案完全符合工業(yè)應(yīng)用要求。

Bourns推出更高額定功率型號MF-ASML/X 系列上一篇下一篇 Littelfuse力特發(fā)布保護集成電路產(chǎn)品系列

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Infineon英飛凌 IMW65R010M2H 產(chǎn)品介紹

采用 TO-247-3 封裝的 CoolSiC ? MOSFET 650 V、10 mΩ G2 以第一代技術(shù)的優(yōu)勢為基礎(chǔ)，能夠加速系統(tǒng)設(shè)計，從而實現(xiàn)成本更優(yōu)化、更高效、更緊湊、更可靠的解決方案。第二代在硬開關(guān)操作和軟開關(guān)拓?fù)涞年P(guān)鍵品質(zhì)因數(shù)方面都有顯著改進，適用于所有常見的 AC-DC、DC-DC 和 DC-AC 級組合。

2026-04-14 4次

Infineon英飛凌 AIMBG75R050M2H 產(chǎn)品介紹

CoolSiC? MOSFET 750 V 利用了英飛凌 20 多年的 SiC 經(jīng)驗。它在性能、可靠性和穩(wěn)健性方面具有優(yōu)勢，具有柵極驅(qū)動靈活性，可實現(xiàn)簡化且高效的系統(tǒng)設(shè)計，從而實現(xiàn)最高效率和功率密度。創(chuàng)新的頂部冷卻封裝進一步增強了CoolSiC? 750 V 的優(yōu)勢，提供了更高的密度、優(yōu)化的功率回路設(shè)計以及更少的系統(tǒng)和組裝成本。

2026-04-14 3次

Infineon英飛凌 BAT15-02ELS 產(chǎn)品介紹

這款英飛凌射頻肖特基二極管是一款硅低勢壘 N 型器件，片上集成有保護環(huán)，用于過壓保護。其低勢壘高度、低正向電壓和低結(jié)電容使 BAT15-02ELS 成為頻率高達(dá) 12 GHz 的應(yīng)用中混頻器和檢測器功能的合適選擇。

2026-04-14 2次

Infineon英飛凌 IMW120R060M1H 產(chǎn)品介紹

CoolSiC ? MOSFET 分立器件 1200 V、60 mΩ G1 采用 TO247-3 封裝，基于最先進的溝槽半導(dǎo)體工藝構(gòu)建，經(jīng)過優(yōu)化，兼具性能和可靠性。這些包括 SiC 開關(guān)中看到的最低柵極電荷和器件電容水平、反并聯(lián)二極管無反向恢復(fù)損耗、與溫度無關(guān)的低開關(guān)損耗和無閾值導(dǎo)通特性。

2026-04-14 2次

Infineon英飛凌 IMCQ120R078M2H 產(chǎn)品介紹

CoolSiC ? MOSFET 分立器件 1200 V、78 mΩ G2 采用頂部冷卻 Q-DPAK 封裝，專為廣泛用于工業(yè)應(yīng)用而設(shè)計。Q-DPAK封裝解決方案為客戶提供了出色的熱性能、更簡便的組裝和更低的系統(tǒng)成本。頂部冷卻的 Q-DPAK 單開關(guān)開創(chuàng)了冷卻、能源效率、設(shè)計靈活性和性能的新時代。

2026-04-14 3次

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