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英飛凌CoolSiC? 2000V SiC MOSFET系列采用TO-247PLUS-4-HCC封裝，規(guī)格為12-100mΩ。由于采用了.XT互聯(lián)技術(shù)，CoolSiC?技術(shù)的輸出電流能力強，可靠性提高。

  產(chǎn)品型號：

  ?? IMYH200R012M1H

  ?? IMYH200R024M1H

  ?? IMYH200R050M1H

  ?? IMYH200R075M1H

  ?? IMYH200R0100M1H

  產(chǎn)品特點

  ●VDSS=2000V，可用于最高母線電壓為1500VDC系統(tǒng)

  ●開關(guān)損耗極低

  ●創(chuàng)新的HCC封裝

  ●針腳間爬電距離為14毫米

  ●5.4毫米電氣間隙

  ●柵極閾值電壓，VGS(th)=4.5V

  ●用于硬換流的堅固體二極管

  ●.XT互聯(lián)技術(shù)可實現(xiàn)同類最佳的散熱性能

  ●高耐濕性

  應(yīng)用價值

  ●市場上首款分立式碳化硅MOSFET器件，阻斷電壓高達2000V

  ●1500V的DC的變流器可以用兩電平實現(xiàn)

  ●與1700V SiC MOSFET相比，1500 VDC系統(tǒng)具有足夠的過壓裕量

  ●TO-247封裝，具有高爬電距離和間隙

  應(yīng)用領(lǐng)域

  ●光伏逆變器

  ●儲能系統(tǒng)

  ●電動汽車充電