h1_key

  隨著人工智能(AI)技術(shù)在大規(guī)模數(shù)據(jù)中心里的應(yīng)用，整個市場對更高性能的半導(dǎo)體器件的需求也將持續(xù)增加。這一趨勢使得為智能的企業(yè)級系統(tǒng)創(chuàng)建高功率密度、高能效的解決方案成為了一大挑戰(zhàn)。為了解決這一挑戰(zhàn)，英飛凌科技近日推出了全新的OptiMOS? 5 IPOL系列降壓穩(wěn)壓器。該產(chǎn)品系列具有符合VR14標(biāo)準(zhǔn)的SVID和I2C/PMBus數(shù)字接口，適用于英特爾和AMD的服務(wù)器CPU及網(wǎng)絡(luò)ASIC/FPGA。這些器件采用5 x 6 mm2 PQFN封裝，可為新一代服務(wù)器、存儲、電信和數(shù)據(jù)通信應(yīng)用以及分布式電源系統(tǒng)提供一種簡單易用的、完全集成的高能效解決方案。

  OptiMOS? IPOL單輸出同步降壓穩(wěn)壓器TDA38640可提供高達40 A的輸出電流。該器件帶有英特爾SVID和I2C/PMBus數(shù)字接口，使得客戶無需對BOM(材料清單)信息做重要修改，即可將其應(yīng)用于符合英特爾VR12、VR12.5、VR13、VR14、IMPVP8規(guī)范的設(shè)計以及DDR存儲器。英飛凌的TDA38740和TDA38725數(shù)字IPOL降壓穩(wěn)壓器配備有PMBus接口，能夠分別支持高達40 A和25 A的輸出電流。這三款新器件均搭載了英飛凌專有的恒定導(dǎo)通時間(COT)PWM引擎，能夠?qū)崿F(xiàn)業(yè)界領(lǐng)先的瞬態(tài)響應(yīng)能力，同時降低產(chǎn)品使用時的開發(fā)設(shè)計難度。

  借助板載PWM控制器和集成自舉二極管的OptiMOS? FET，這幾款新器件支持高效的功率傳輸和較小的占板面積。此外，它們還具有必要的通用性，可在更加寬泛的輸入和輸出電壓范圍內(nèi)工作，同步實現(xiàn)400kHz至2MHz的可編程開關(guān)頻率。多重時間編程(MTP)存儲器支持在設(shè)計和大批量制造過程中進行定制，大大縮短了產(chǎn)品的設(shè)計周期和上市時間。此外，這些器件提供數(shù)字可編程負(fù)載線，無需外部元器件的助力，即可通過配置寄存器進行設(shè)置，從而簡化了BOM。英飛凌還提供配套的XDP? Designer GUI(圖形用戶界面)等支持工具，以便客戶輕松地進行器件配置，并將其存儲在片上存儲器中。

  英飛凌推出800V和950VAC-DC集成式功率級級產(chǎn)品，進一步擴展其固定頻率CoolSET?產(chǎn)品組合

  在提高高壓電源的性能、效率和可靠性的同時，也需要減少元器件的數(shù)量和BOM(材料清單)成本,并降低所需的設(shè)計工作量。為了滿足這些需求，英飛凌科技推出第五代固定頻率(FF)CoolSET??產(chǎn)品組合，旨在提供合適的關(guān)鍵器件，以優(yōu)化設(shè)計。英飛凌全新的800V和950V AC-DC集成式功率級(IPS)產(chǎn)品均采用DIP-7封裝，可滿足家用電器輔助電源、AC-DC轉(zhuǎn)換器、電池充電器、太陽能系統(tǒng)以及電機控制和驅(qū)動等應(yīng)用的需求。

  固定頻率 CoolSET?解決方案在單個封裝內(nèi)集成了PWM控制器IC和最新的高壓CoolMOS? P7超結(jié)(SJ)MOSFET。擴展后的產(chǎn)品組合包含市場上首款集成了950V具有耐雪崩擊穿能力的超結(jié)MOSFET的功率半導(dǎo)體器件，支持更寬的輸入電壓范圍。新器件同時支持隔離和非隔離的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)包括Flyback和Buck，可以在100 kHz和65 kHz的開關(guān)頻率下工作。用一個器件同時支持低系統(tǒng)成本的Buck和通用的Flyback，可簡化客戶的供應(yīng)鏈; 集成的誤差放大器支持原邊反饋，這是非隔離式拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的典型特征，該特性還進一步減少了器件的數(shù)量和設(shè)計的復(fù)雜性。

  集成軟驅(qū)動和抖頻率的降頻模式減輕了電磁干擾，并提高了中、輕負(fù)載條件下的效率。支持連續(xù)導(dǎo)通模式(CCM)和不連續(xù)導(dǎo)通模式(DCM)，在低壓輸入條件下，CCM可以降低導(dǎo)通損耗，從而提高效率，滿足國際能效標(biāo)準(zhǔn)。集成的MOSFET支持諸如單相智能電表和工業(yè)應(yīng)用相關(guān)的超寬輸入電壓范圍。另外，該產(chǎn)品還有助于優(yōu)化緩沖電路的設(shè)計，進一步提高效率及降低待機功耗。

  所有新產(chǎn)品都集成多種的自恢復(fù)保護功能，在發(fā)生故障時通過自動重啟功能支援供電系統(tǒng)。完善的保護功能再加上超結(jié) MOSFET的高擊穿電壓特性，進一步提高了供電的穩(wěn)定性。此外，主動突發(fā)模式(ABM)改善了輕載性能并實現(xiàn)了超低待機功耗，而且輸出電壓紋波小且可控。