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英飛凌推出HYPERRAM?存儲(chǔ)芯片3.0器件
2022-11-17 1410次

  英飛凌科技推出新型HYPERRAM?3.0器件,進(jìn)一步完善其高帶寬、低引腳數(shù)存儲(chǔ)解決方案。該裝置有全新的16位擴(kuò)展器HyperBus?接口可將吞吐量翻倍至800MBps。在推出HYPERRAM?3.0裝置后,英飛凌可以提供完美的低引腳、低功耗的高帶寬存儲(chǔ)器產(chǎn)品組合。該芯片非常適合擴(kuò)展RAM存儲(chǔ)器的應(yīng)用包括視頻緩沖、工廠自動(dòng)化、人工智能物聯(lián)網(wǎng)(AIoT)與汽車聯(lián)網(wǎng)(V2X),數(shù)據(jù)密集型計(jì)算的應(yīng)用需要便紙式存儲(chǔ)器。



  新型HYPERRAM? 3.0存儲(chǔ)芯片

  英飛凌科技汽車電子事業(yè)部高級營銷和應(yīng)用總監(jiān)Ramesh Chettuvetty表示:“英飛凌在存儲(chǔ)器解決方案領(lǐng)域擁有近三十年的深厚專業(yè)積淀,我們十分高興為市場帶來又一款行業(yè)首創(chuàng)產(chǎn)品。全新HYPERRAM? 3.0存儲(chǔ)器解決方案每個(gè)引腳的數(shù)據(jù)吞吐量遠(yuǎn)高于PSRAM、SDR DRAM等市面上現(xiàn)有的技術(shù)。其低功耗特性能夠在不犧牲吞吐量的情況下實(shí)現(xiàn)更低的功耗,因此這款存儲(chǔ)器是工業(yè)和物聯(lián)網(wǎng)解決方案的理想選擇?!?/span>

  英飛凌HYPERRAM?是一款基于PSRAM的獨(dú)立易失性存儲(chǔ)器,它可提供一種經(jīng)濟(jì)實(shí)用的添加方式來擴(kuò)展存儲(chǔ)器。其數(shù)據(jù)速率與SDR DRAM相當(dāng),但所用的引腳數(shù)更少,功耗更低。HyperBus?接口每個(gè)引腳的數(shù)據(jù)吞吐量更高,從而可以使用引腳數(shù)較少的微控制器(MCU)和層數(shù)較少的PCB,為目標(biāo)應(yīng)用提供復(fù)雜性更低以及成本更優(yōu)化的的設(shè)計(jì)方案。

  • Infineon英飛凌 IMW65R010M2H 產(chǎn)品介紹
  • 采用 TO-247-3 封裝的 CoolSiC ? MOSFET 650 V、10 mΩ G2 以第一代技術(shù)的優(yōu)勢為基礎(chǔ),能夠加速系統(tǒng)設(shè)計(jì),從而實(shí)現(xiàn)成本更優(yōu)化、更高效、更緊湊、更可靠的解決方案。第二代在硬開關(guān)操作和軟開關(guān)拓?fù)涞年P(guān)鍵品質(zhì)因數(shù)方面都有顯著改進(jìn),適用于所有常見的 AC-DC、DC-DC 和 DC-AC 級組合。
    2026-04-14 37次
  • Infineon英飛凌 AIMBG75R050M2H 產(chǎn)品介紹
  • CoolSiC? MOSFET 750 V 利用了英飛凌 20 多年的 SiC 經(jīng)驗(yàn)。它在性能、可靠性和穩(wěn)健性方面具有優(yōu)勢,具有柵極驅(qū)動(dòng)靈活性,可實(shí)現(xiàn)簡化且高效的系統(tǒng)設(shè)計(jì),從而實(shí)現(xiàn)最高效率和功率密度。 創(chuàng)新的頂部冷卻封裝進(jìn)一步增強(qiáng)了CoolSiC? 750 V 的優(yōu)勢,提供了更高的密度、優(yōu)化的功率回路設(shè)計(jì)以及更少的系統(tǒng)和組裝成本。
    2026-04-14 58次
  • Infineon英飛凌 BAT15-02ELS 產(chǎn)品介紹
  • 這款英飛凌射頻肖特基二極管是一款硅低勢壘 N 型器件,片上集成有保護(hù)環(huán),用于過壓保護(hù)。其低勢壘高度、低正向電壓和低結(jié)電容使 BAT15-02ELS 成為頻率高達(dá) 12 GHz 的應(yīng)用中混頻器和檢測器功能的合適選擇。
    2026-04-14 60次
  • Infineon英飛凌 IMW120R060M1H 產(chǎn)品介紹
  • CoolSiC ? MOSFET 分立器件 1200 V、60 mΩ G1 采用 TO247-3 封裝,基于最先進(jìn)的溝槽半導(dǎo)體工藝構(gòu)建,經(jīng)過優(yōu)化,兼具性能和可靠性。這些包括 SiC 開關(guān)中看到的最低柵極電荷和器件電容水平、反并聯(lián)二極管無反向恢復(fù)損耗、與溫度無關(guān)的低開關(guān)損耗和無閾值導(dǎo)通特性。
    2026-04-14 68次
  • Infineon英飛凌 IMCQ120R078M2H 產(chǎn)品介紹
  • CoolSiC ? MOSFET 分立器件 1200 V、78 mΩ G2 采用頂部冷卻 Q-DPAK 封裝,專為廣泛用于工業(yè)應(yīng)用而設(shè)計(jì)。Q-DPAK封裝解決方案為客戶提供了出色的熱性能、更簡便的組裝和更低的系統(tǒng)成本。頂部冷卻的 Q-DPAK 單開關(guān)開創(chuàng)了冷卻、能源效率、設(shè)計(jì)靈活性和性能的新時(shí)代。
    2026-04-14 70次

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